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电力电子技术的发展历史电力电子技术的基本概况

电力电子技术的基本概况电力电子技术迅速发展，与全球能源、环境等问题息息相关利用电力电子技术可以有效地节约能源电力电子技术的发展历史

电力电子技术的基本概况年份20001990198019701957194719301904史前期晶体管诞生全控型器件迅速发展期IGBT出现智能功率模块晶闸管时代水银（汞弧）整流器时代电子管问世晶闸管问世

电力电子技术的基本概况电力电子技术的开始是以1957年第一个晶闸管的诞生为标志在晶闸管出现之前，电力电子技术已经用于电力变换硒整流器电子管水银整流器闸流管

电力电子技术的基本概况晶体管的发明引起了电子技术的革命锗功率二极管硅二极管晶闸管

电力电子技术的基本概况工业技术的迅速发展推进了晶闸管的进步。电力电子技术的概念和基础由于晶闸管及晶闸管变流技术的发展而逐渐建立起来。在电力系统的无功赔偿、以及在中频加热应用中，晶闸管是处理大功率不可缺乏的器件。晶闸管在高压直流输电中的换流器、静止相控无功赔偿器、周波变流器、负载换流逆变器等设备中仍大量使用。

电力电子技术的基本概况半导体器件的发展变流器的拓朴构造PWM技术仿真分析措施控制和估算技术计算机数字信号处理集成芯片硬件和软件控制电力电子进步

电力电子技术的基本概况迅速晶闸管（FST）逆导晶闸管（RCT）双向晶闸管（TRIAC）光控晶闸管（LTT）晶闸管的派生器件推进多种电力变流器在冶金、电化学、电力工业、交通及矿山等行业中的应用，增进了工业技术的进步。第一代电力电子器件

电力电子技术的基本概况阻碍晶闸管发展的原因关断晶闸管时须采用强迫换流电路。增长的换流电路使电路复杂、体积增大、重量增长、效率减少，从而导致可靠性下降；晶闸管只能在承受正向电压过程中，通过对门极施加一种触发脉冲才能使其导通，不能通过脉冲的控制使其关断，属于半控型器件。

电力电子技术的基本概况由于晶闸管不能通过控制实现关断，因此它的开关频率难以提高，最高也不会超过400Hz，这样大大限制了它的应用范围；由于晶闸管相位控制方式对电网及负载产生严重的谐波，这不仅会减少电路的功率因数，并且还会对电网导致谐波污染的“公害”。

电力电子技术的基本概况门极可关断晶闸管（GTO）双极型电力晶体管（GTR）电力场效应晶体管（PowerMOSFET）自关断的全控型器件通过对门极（基极、栅极）的控制既可使其开通，又可使其关断。这些器件的开关速度高于晶闸管，可以用于开关频率较高的场所。第二代电力电子器件

电力电子技术的基本概况GTO的关断功率损耗较大，须使用开关吸取电路，以减小dv/dt，在实际应用中受到一定的限制。GTO的一般容量为6KV/4KA。实际使用中，GTO的触发功率很大，关断时要消耗其导通功率的20%左右，限制了它的开关频率。在GTO变流器的吸取和驱动电路设计应考虑其特殊性。门极可关断晶闸管(GTO)

电力电子技术的基本概况大功率达林顿双极结型晶体管（BJT），由于它的驱动损耗大，以及可靠性差，现已由大功率场效应晶体管MOSFET（低压范围内）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）所取代。MOSFET是多数载流子传导器件，它的导通压降较高，开关损耗并不是太大，且电压等级不能做得太高，它一般只应用于低压、高频电路中。

电力电子技术的基本概况静电感应式晶体管（SIT）静电感应式晶闸管（SITH）MOS晶闸管（MCT）功率半导体器件这些器件具有很高的开关频率，可以承受更高的电压，并容许更大的导通电流，这种类型的大功率开关器件在构成高频大功率变流器中具有尤其的优势。第三代复合型场控半导体器件

电力电子技术的基本概况绝缘栅双极型晶体管（IGBT）IGBT的开关频率比BJT高诸多，在正向偏置安全工作区内可以不需要吸取电路，这种模块的额定容量在20世纪90年代就已到达了3500V/1200A，它的电气特性还在不停完善。IGBT在许多中、大功率的变流设备中得到了广泛使用，直到目前，它仍是重要的功率开关器件。

电力电子技术的基本概况IGBT的智能模块（IPM）是将内置门极驱动及热保护等功能集于一体的集成模块，它可以控制和保护几百千瓦的负载，用于中小功率的变流设备中。具有沟槽栅技术的现代IGBT模块比二极管的导通压降稍高一点，但它具有更快的开关速度。近期发展起来的新型大功率半导体器件3.3kV、4.5kV、6.5kV的IGBT改善了变流电路的设计，在三电平拓扑构造中广泛采用，迅速增长了PWM型可控电压源变流器所占的市场份额。

电力电子技术的基本概况PWM可控VCS（电压源型变流器）的优势在于，可以减少线路中的谐波含量，提高功率因数，并有效减少了滤波器的容量和体积，提高了系