GBT-氮化铝单晶抛光片及编制说明.docxVIP

ICS29.045

CCSH83

中华人民共和国国家标准

GB/TXXXXX—XXXX

氮化铝单晶抛光片

Polishedmonocrystallinealuminumnitridewafers

（征求意见稿）

（在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上）

XXXX-XX-XX发布 XXXX-XX-XX实施

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GB/TXXXXX—XXXX

前??言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准

化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。本文件起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所等本文件主要起草人：…………

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氮化铝单晶抛光片

1 范围

本文件规定了氮化铝单晶抛光片的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。

本文件适用于直径2英寸的氮化铝单晶抛光片。

2 规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T14264半导体材料术语

GB/T2828.1-2012计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划

GB/T6624 硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T30866碳化硅单晶片直径测试方法

GB/T30867碳化硅单晶片厚度的测试方法

GB/T30867碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T32278碳化硅单晶片平整度测试方法

GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法

GB/T32188氮化镓单晶衬底片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法

GB/T32189氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法

3 术语和定义

GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。

4 术语和定义

4.1 牌号

氮化铝单晶抛光片的牌号表示应符合附录A的规定。

4.2 分类

氮化铝单晶抛光片按直径分为25.4mm、50.8mm。

5 技术要求

GB/TXXXXX—XXXX

5.1 总则

氮化铝单晶抛光片应符合本标准的所有要求。不同直径氮化铝单晶抛光片的边缘去除区域见表1。

表1 边缘去除区域

单位：毫米

抛光片直径

边缘区域量

25.4

0.5

50.8

1

5.2 表面质量

氮化铝单晶片为双面抛光片，在聚光灯下，其正、背表面的表面质量目测结果应符合表2的规定。

表2 表面质量

表面缺陷

要 求

崩 边

无

划 痕

无

橘 皮

无

裂 纹

无

雾

无

沾污、水迹

无

5.3 几何参数

氮化铝单晶抛光片的几何外形如图1所示。主参考面（A）、副参考面（B）按照顺时针排列。若A

的长度大于B时，正表面为Al面。氮化铝单晶抛光片的几何尺寸参数应满足表2要求。

图1 晶片外形示意图

6.2.2 氮化铝单晶抛光片的厚度按

6.2.2 氮化铝单晶抛光片的厚度按GB/T30867进行测量。

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表3 氮化铝晶片几何尺寸参数

项目

不同直径氮化铝单晶抛光片的几何尺寸参数要求

25.4mm

50.8mm

直径及偏差

mm

25.4±0.5

50.8±0.5

厚度及偏差

μm

350±50

400±50

总厚度变化

μm

20

30

翘曲度

μm

/

30

主参考面A长度及偏差

mm

8±1.65

16±1.65

副参考面B长度及偏差

mm

4±1.65

8±1.65

主参考面A及偏差

{10-10}±5.0°

副参考面B及偏差

顺时针与主参考面成90°±5.0°

5.4 表面取向及偏离

5.4.1氮化铝单晶抛光片的晶向为0001。

5.4.2氮化铝单晶抛光片表面取向的晶向偏离为：0°±1°。

5.5 结晶质量

5.5.1氮化铝单晶抛光片的（002）面XRD摆曲线半高宽应不大于150arcsec。

5.5.2氮化铝单晶抛光片的（102）面XRD摆曲线半高宽应不大于150arcsec。

5.6 表面粗糙度

氮化铝单晶抛