半导体二极管及其基本电路.ppt

PN结加正向电压2、PN结反向偏置－－－－++++内电场外电场变厚NP+_内电场被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电流。RE空穴电子演示PN结加反向电压3、PN结的伏安特性（V-I）PN结加正向电压（正向偏置电压）时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流（称为正向电流IF）；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流（称为反向饱和电流IS）。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。IS为PN结的反向饱和电流；典型值10-8--10-14A；vD为PN结的两端的外加电压；VT称为温度的电压当量，在温度为300K(27°C)时，VT约为26mV；根据理论分析，PN结两端的电压V与流过PN结的电流I之间的关系为：其中：iD为PN结的电流；即二极管的电流iD随vD按指数规律变化。当PN结正偏时，如果vDVT几倍以上，上式可改写为：当PN结反偏时，vD为负值。如果-vDVT几倍以上，指数项趋今于零。三、PN结的反向击穿二极管处于反向偏置时，在一定的电压范围内，流过PN结的电流很小，但电压超过某一数值时，反向电流急剧增加，这种现象我们就称为反向击穿。发生击穿时的反偏电压称为PN结的反向击穿电压VBR。击穿形式分为两种：雪崩击穿和齐纳击穿。高掺杂情况下，耗尽层很窄，宜于形成强电场，而破坏共价键，使价电子脱离共价键束缚形成电子－空穴对，致使电流急剧增加。齐纳击穿：01如果搀杂浓度较低，不会形成齐纳击穿，而当反向电压较高时，能加快少子的漂移速度，从而把电子从共价键中撞出形成电子－空穴对（碰撞电离），形成雪崩式的连锁反应。雪崩击穿：02PN结被击穿后，PN结上的压降高，电流大，功率大。当PN结上的功耗使PN结发热，并超过它的耗散功率时，PN结将发生热击穿。这时PN结的电流和温度之间出现恶性循环，最终将导致PN结烧毁。01PN结的电击穿是可逆击穿，及时把偏压调低，PN结即恢复原来特性。电击穿特点可加以利用（如稳压管）。热击穿就是烧毁，是不可逆击穿。使用时尽量避免。?02击穿并不意味着PN结烧坏一、基本结构PN结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。ak二极管的电路符号：第三节半导体二极管PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。点接触型二极管PN结面积大，用于工频大电流整流电路。面接触型二极管往往用于集成电路制造工艺中。PN结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。平面型二极管根据理论推导，二极管的伏安特性曲线可用下式表示式中IS为反向饱和电流，V为二极管两端的电压降，VT=kT/q称为温度的电压当量，k为玻耳兹曼常数，q为电子电荷量，T为热力学温度。对于室温（相当T=300K），则有VT=26mV。12二、伏安特性VI门坎电压Vth死区电压硅管0.5V,锗管0.1V。导通压降:硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。反向击穿电压VBR半导体二极管的伏安特性曲线如图所示。处于第一象限的是正向伏安特性曲线，处于第三象限的是反向伏安特性曲线。1、正向特性当V＞0即处于正向特性区域。正向区又分为两段：当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或开启电压。当V＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。030102反向特性当V＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域：当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当V≥VBR时，反向电流急剧增加，称为二极管的反向击穿。021.最大整流电流IF二极管的主要参数二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。2.反向击穿电压VBR二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压VWRM一般是VBR的一半。01指管子未击穿时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。3.反向电流IR04030102极间电容二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容CB和扩散电容CD。势垒电容CB