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横纵向功率MOSFET器件结构设计与特性研究

一、引言

随着电力电子技术的快速发展，功率半导体器件在各种电子设备中扮演着越来越重要的角色。其中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）以其低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等优点，在功率转换、控制电路等领域得到了广泛应用。本文将重点研究横纵向功率MOSFET器件的结构设计及其特性，以期为相关研究和应用提供理论支持。

二、横纵向功率MOSFET器件结构设计

1.横向功率MOSFET器件结构

横向功率MOSFET器件的结构特点为电流在器件的横向平面内流动。其基本结构包括栅极、源极、漏极和氧化物层。在设计时，需考虑降低导通电阻、提高击穿电压