模拟电子技术基础3晶体三极管.pptxVIP

2025/2/1415:01第3章晶体三极管及其放大电路

2025/2/1415:01根本要求1〕熟悉晶体三极管结构、工作原理及特性曲线；2〕掌握根本放大电路的静态和动态分析，即静态工作点和交流性能参数〔电压放大倍数、输入电阻、输出电阻〕的计算；多级放大电路的分析和计算；3〕了解放大电路的频率特性等。

2025/2/1415:013.1晶体三极管3.1.1晶体三极管的分类及结构晶体三极管通常简称为三极管，也称为晶体管和半导体三极管。采用光刻、扩散等工艺在同一块半导体硅(锗)片上掺杂形成三个区、两个PN结，并引出三个电极。由两个N区夹一个P区结构的三极管称为NPN型晶体管；由两个P区夹一个N区结构的三极管称为PNP型晶体管。图3-1常用三极管的外形及管脚排列

2025/2/1415:01图3-2三极管的结构示意图及其符号

2025/2/1415:01三极管都有三个区：基区、集电区和发射区；两个PN结：集电区和基区之间的PN称为集电结，基区和发射区之间的PN结称为发射结；三个电极：基极b、集电极c和发射极e。结构特点是发射区掺杂浓度高，集电区掺杂浓度比发射区低，且集电区面积比发射区大，基区掺杂浓度很低且很薄，符号中的箭头方向是表示发射极电流的实际流向。

2025/2/1415:01三极管的工作原理1.三极管放大交流信号的外部条件要使三极管正常放大交流，要求：发射结外加正向电压（正偏），集电结外加反向电压（反偏），对于NPN管，，；对于PNP管，，。为此，利用两个电源、来实现正确偏置，如图3-3所示。

2025/2/1415:012.晶体管内部载流子运动过程①发射区的电子向基区运动如图3-3所示。由于发射结外加正向电压，多子的扩散运动增强，所以发射区的多子—自由电子不断越过发射结扩散到基区，形成了发射区电流〔电流的方向与电子运动方向相反〕。同时电源向发射区补充电子，形成电流。而此时基区的多子—空穴也会向发射区扩散，形成空穴电流。但由于基区掺杂浓度低，空穴浓度小，很小，可忽略不计，故根本上等于发射极电流。②发射区注入到基区的电子在基区的扩散与复合当发射区的电子到达基区后，由于浓度的差异，并且由于基区很薄，电子很快运动到集电结。在扩散过程中有一局部电子与基区的空穴相遇而复合，同时，电源不断向基区补充空穴，形成基区复合电流。由于基区掺杂浓度低且薄，故复合的电子很少，亦即很小。ENI

2025/2/1415:01③集电区收集发射区扩散过来的电子由于集电结加反向电压，有利于少子的漂移运动，所以基区中扩散到集电结边缘的电子－少子，在电场力作用下，几乎全部漂移过集电结，到达集电区，形成集电极电流。同时，集电区少子—空穴和基区本身的少子—电子，也要向对方做漂移运动，形成反向饱和电流。的数值很小，一般可忽略。但由于是由少子形成的电流，称为集电结反向饱和电流，方向与一致，该电流与外加电压关系不大，但受温度影响很大，易使管子工作不稳定，所以在制造管子时应设法减少。

2025/2/1415:013.三极管的电流分配关系(3-4)(3-3)(3-2)(3-1)

2025/2/1415:01三极管的组态三极管有三个电极，可视为一个二端口网络，其中两个电极构成输入端口、两个电极构成输出端口，输入、输出端口公用某一个电极。根据公共电极的不同，三极管组成的放大电路有3种连接方式，通常称为放大电路的三种组态，即共基极、共发射极和共集电极电路组态，如图3-4所示。

2025/2/1415:013.1.3三极管的放大作用在实际应用中利用三极管放大电路放大微弱信号，其原理电路如图3-5a所示，实际电路中常取，于是有图3-5b所示习惯画法的共射极放大电路图。

2025/2/1415:01放大的原理

2025/2/1415:01放大的实质放大电路实质上是放大器件的控制作用，三极管就是一个电流控制电流器件，由微弱的基极电流，控制较大的集电极电流，放大作用是针对变化量而言的，放大的能量是由直流电源供给。

2025/2/1415:013.1.4三极管的特性曲线及主要参数3.1.4.1三极管的特性曲线晶体三极管的特性曲线是指其各