布拉格波导半导体激光器技术要求及检测方法（征求意见稿）.docx

T/CPUMTXXX—XXXX

1

布拉格反射波导半导体激光器技术规范

1范围

本文件规定了布拉格反射波导半导体激光器的型号命名、主要参数、技术要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存等相关要求。

本文件适用于布拉格反射波导半导体激光器的研制、生产和交付等。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T191包装储运图示标志

GB/T2423.1电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A：低温GB/T2423.2电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验B：高温

GB/T2423.3电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Cab：恒定湿热试验GB/T2423.5电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Ea和导则：冲击

GB/T2423.10电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Fc：振动(正弦)GB/T6388运输包装收发货标志

GB7247.1激光产品安全第1部分：设备分类、要求GB/T10320激光设备和设施的电气安全

GB/T12339防护用内包装材料

GB/T15313激光术语

SJ/T11587电子产品防静电包装技术要求

3术语和定义

GB/T15313界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

半导体激光器semiconductorlaser以半导体材料为激光介质的激光器。

[来源：GB/T15313—2008，2.4.10]

3.2

布拉格反射波导半导体激光器Braggreflectionwaveguidesemiconductorlaser

一种基于一维光子晶体波导的边发射半导体激光器，它在外延生长方向利用光子带隙效应替代传统的全反射波导进行光场限制，它由光缺陷层及上下布拉格反射镜组成，有源区位于光缺陷层中，示意

图见图1。

图1布拉格反射波导半导体激光器结构示意图

T/CPUMTXXX—XXXX

2

3.3

工作电流workingcurrent

布拉格反射波导半导体激光器的输出达到额定激光功率时的工作电流值。

3.4

工作电压workingvoltage

布拉格反射波导半导体激光器的输出达到额定激光功率时的工作电压值。

3.5

阈值电流thresholdcurrent

使布拉格反射波导半导体激光器内光子增益等于或大于腔内总损耗，从而产生激光的最小驱动电流。

3.6

输出光功率outputpower

布拉格反射波导半导体激光器在给定工作电流下输出的激光功率。

3.7

斜率效率slopeefficiency

布拉格反射波导半导体激光器单位电流输入所产生的光功率输出。

3.8

电光转换效率electrical-to-opticalconversionefficiency

布拉格反射波导半导体激光器输出的光功率与输入的电功率比值，通常以百分数表示。

3.9

输出光功率稳定度outputpowerstability

在工作条件不变的情况下，布拉格反射波导半导体激光器输出光功率在一定测量时间内波动的程

度。

3.10

偏振度polarizationinstability

布拉格反射波导半导体激光器输出光束中偏振光的光强度占总光强的比例。

3.11

峰值波长peakwavelength

布拉格反射波导半导体激光器辐射光谱中发光强度或辐射功率最大处所对应的波长。

3.12

光谱宽度spectralwidth

布拉格反射波导半导体激光器辐射光谱强度最大值的一半处所对应的上升沿和下降沿最大宽度。

3.13

中心波长centralwavelength

布拉格反射波导半导体激光器辐射光谱强度最大值的一半处所对应的上升沿和下降沿最大宽度的中点对应的波长。

3.14

边模抑制比side-modesuppressionratio

布拉格反射波导半导体激光器输出光谱中主模强度和边摸强度的最大值比值。

3.15

波长-温度漂移系数coefficientofwavelength-temperatureshift

布拉格反射波导半导体激光器稳定工作时，有源区单位温度变化所引起的峰值波长变化量。

3.16

热阻thermalresistance

布拉格反射波导半导体激光器耗散单位热功率引起的有源区温升。

3.17

光谱线宽spectrallinewidth

布拉格反射