模拟电子技术数字电子技术(清华大学)课件——给力共享.pptVIP

电子技术

〔模电数电〕;绪论;绪论;I.电子技术开展史;I.电子技术开展史;1.原始通信方式——人力、烽火台等;电子器件是按照“电子管——晶体管——集成电路”的顺序，逐步开展起来的。;1.真空电子管的创造：;自电子器件出现至今，电子技术已经应用到了社会的各个领域。;II.电子技术的应用;III.课程安排;二.时间安排;第一编模拟局部;第一章半导体器件;1.1半导体〔Semiconductor〕导电特性;1.1.1本征半导体;但在外界鼓励下，产生电子—空穴对〔本征激发〕，呈现导体的性质。;但在外界鼓励下，产生电子—空穴对〔本征激发〕，呈现导体的性质。;在外界鼓励下，产生电子—空穴对〔本征激发〕。;在外界鼓励下，产生电子—空穴对〔本征激发〕。;在外界鼓励下，产生电子—空穴对〔本征激发〕。;

半导体内部存在两种载流子〔可导

电的自由电荷〕：电子〔负电荷〕、空

穴〔正电荷〕。;1.1.2杂质半导体;N型半导体内部存在大量的电子和少量的空穴，电子属于多数载流子〔简称多子〕，空穴属于少数载流子〔简称少子〕。n≥p

N型半导体主要靠电子导电。;P型半导体内部存在大量的空穴和少量的电子，空穴属于多数载流子〔简称多子〕，电子属于少数载流子〔简称少子〕。p≥n

P型半导体主要靠空穴导电。;杂质半导体导电性能主要由多数载流子决定，总体是电中性的，通常只画出其中的杂质离子和等量的多数载流子。;1.2半导体二极管〔Diode〕;1.2.1PN结〔PNJunction〕;一.PN结的形成;

二.PN结性质——单向导电性;1.正向导通

PN结外加正向电压〔正向偏置〕——P接+、N接-，形成较大正向电流〔正向电阻较小〕。如3mA。;1.2.2二极管;二．二极管主要参数;由三块半导体构成，分为NPN型和PNP型两种。三极管含有3极、2结、3区。其中发射区高掺杂，基区较薄且低掺杂，集电区一般掺杂。;1.3三极管〔Transistor〕;1.3三极管〔Transistor〕;1.3.3三极管内部载流子传输;I;I;1.3.4三极管各极电流关系;1.3.5共射NPN三极管伏安特性曲线;1.3.5共射NPN三极管伏安特性曲线;1.3.5共射NPN三极管伏安特性曲线;1.3.6三极管主要参数;1.3.6三极管主要参数;三极管的平安工作区;1.4场效应管〔FieldEffectTransistor〕;1.4.1结型场效应管;1.4.1结型场效应管;1.4.1结型场效应管;1.4.1结型场效应管;1.4.2结型场效应管;1.4.1结型场效应管;1.4.1结型场效应管;1.4.2结型场效应管;1.4.1结型场效应管;1.4.1绝缘栅型场效应管;1.4.1绝缘栅型场效应管;二.增强型N沟道MOS管工作过程;三.增强型N沟道MOS管特性曲线;四.耗尽型N沟道MOS管工作过程;四.耗尽型N沟道MOS管特性曲线;各类场效应管偏置电压极性;五.场效应管的主要参数;第二章根本放大电路;2.1放大的概念;2.2.1原理电路;2.2.1原理电路;2.2.2电路放大工作原理;2.2.3实际放大器;2.2.4放大器构成原那么;电路举例;对于放大器，除分析静态量〔直流量〕，还要分析如下动态量〔交流量〕：;对于放大器，除分析静态量〔直流量〕，还要分析如下动态量〔交流量〕：;对于放大器，除分析静态量〔直流量〕，还要分析如下动态量〔交流量〕：;对于放大器，除分析静态量〔直流量〕，还要分析如下动态量〔交流量〕：;对于放大器，除分析静态量〔直流量〕，还要分析如下动态量〔交流量〕：;对于放大器，除分析静态量〔直流量〕，还要分析如下动态量〔交流量〕：;对于放大器，除分析静态量〔直流量〕，还要分析如下动态量〔交流量〕：;对于放大器，除分析静态量〔直流量〕，还要分析如下动态量〔交流量〕：;附：电路中有关符号规定;放大器分析有静态分析和动态分析。其中动态分析最常用的方