《模拟电子技术》课件——绝缘栅场效应管.pptx

模拟电子技术绝缘栅场效应管

内容提要一、N沟道增强型MOSFET二、N沟道耗尽型MOSFET三、P沟道MOSFET

1）结构与符号P型衬底(掺杂浓度低)N+N+用扩散的方法制作两个高掺杂浓度的N区在硅片表面生一层薄SiO2绝缘层s源极d漏极用金属铝引出源极s和漏极dg栅极在绝缘层上喷金属铝引出栅极gB耗尽层s—源极sourceg—栅极gated—漏极drainsgdB绝缘栅场效应管1、N沟道增强型MOSFET衬底B与源极S相连SiO2由于栅极与其他电极和衬底之间有一个绝缘层，故称为绝缘栅从纵向看由金属（铝）-氧化物（SiO2）-半导体组成，故又简称为MOS管

1、N沟道增强型MOSFET2）工作原理①形成导电沟道前当uGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，无论在d、s之间加什么电压，总有一个PN结反偏，iD=0。当uDS=0V，uGS＞0V时→纵向电场→将靠近栅极下方的空穴向下排斥，吸引衬底少子电子，形成N型薄层（反型层）→将两个N区接通，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流iD。开启电压UGS(th)或者UT——刚刚形成沟道所需的栅源电压UGS。N沟道增强型MOS管的基本特性：uGS＜UGS(th)，管子截止，uGS＞UGS(th)，管子导通。uGS越大，电场越强，沟道越宽，沟道电阻也就越小。在相同的漏源电压uDS作用下，漏极电流iD越大。②建立导电沟道绝缘栅场效应管

绝缘栅场效应管1、N沟道增强型MOSFET2）工作原理③形成沟道后漏源电压uDS对漏极电流iD的控制作用当uGS＞UGS(th)，且固定（a）uDS=0时，iD=0。沟道等宽（b）uDS↑→iD↑；iD沿沟道产生的电压降使沟道各点与栅极间的电压不在相等，在靠近漏极的地方电压最小，沟道最窄，使得沟道从源极到漏极逐渐变窄呈“楔形”。（c）当uDS增加到一定数值，沟道靠漏区夹断，称为预夹断。uGD=uGS-uDS=uGS(th)（d）uDS再增加，预夹断区向源极方向加长，靠漏极端出现夹断区，uDS增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上，iD基本不变，趋于恒流。

预夹断(UGD=UGS(th))：漏极附近反型层消失。预夹断发生之前：uDS?iD?。预夹断发生之后：uDS?iD不变。绝缘栅场效应管1、N沟道增强型MOSFET2）工作原理③形成沟道后漏源电压uDS对漏极电流id的控制作用

3）输出特性曲线①可变电阻区预夹断前uGSUGS(th)uDSuGS-UGS(th)uDS??iD?，直到预夹断,也即是预夹断前②饱和区(放大区、恒流区)预夹断后uDS?，iD不变?uDS加在耗尽层上，沟道电阻不变，电流恒定③夹断区（截止区）uGS＜UGS(th)，无沟道，iD=0iD/mAuDS/VuGS=2V4V6V8V夹断区饱和区(放大区、恒流区)可变电阻区O击穿区。绝缘栅场效应管1、N沟道增强型MOSFETuGSUGS(th)uDS＞uGS-UGS(th)④当uGS或uDS增大到一定值时，将分别使iD急剧增大或绝缘层击穿。

4）转移特性曲线uGS=2UGS(th)时的iD值绝缘栅场效应管1、N沟道增强型MOSFET当uGSUGS(th)，uDS＞uGS?UGS(th)时，管子工作在恒流区，uGS增大，iD跟随增大。在恒流区时：当uGS＜UGS(th)时，因没有导电沟道，iD=0UDS=6ViD(mA)uGS(V)0213424685ID0iD(mA)uDS(V)02134246852V3V4V5V6V

绝缘栅场效应管2、N沟道耗尽型MOSFET在栅极下方的SiO2层中掺入了大量的金属正离子。所以当uGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。当UGS从零减小到一定值时，反型层消失，漏源间导电沟道被夹断，此时iD=0，对应的栅源电压称为夹断电压UGS(off)。预夹断前后情况与N沟道增强型MOS管相同。夹断电压UGS(off)——沟道刚刚消失所需的栅源电压uGS。特点：uGS?UGS(off)（夹断电压）时，沟道全夹断。

当uGS＞UGS(off)，uDS＞uGS-UGS(off)时，uGS=0时对应的漏极电流绝缘栅场效应管2、N沟道耗尽型MOSFETN沟道耗