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1.光电池的结构和工作原理光电池的示意图+光PN－SiO2RL(a)光电池的结构图I光(b)光电池的工作原理示意图PN第31页，共65页，星期日，2025年，2月5日（1）光电特性开路电压曲线：短路电流曲线：2.基本特性L/klx?L/klx?5432100.10.20.30.40.5246810开路电压Uoc/V0.10.20.30.4?0.50.30.1012345Uoc/VIsc/mAIsc/mA(a)硅光电池(b)硒光电池开路电压短路电流短路电流第32页，共65页，星期日，2025年，2月5日02468100.10.20.30.40.5I/mAL/klx?50Ω100Ω1000Ω5000ΩRL=0第33页，共65页，星期日，2025年，2月5日204060801000.40.60.81.01.20.2I/%12λ/μm(2)光谱特性1——硒光电池2——硅光电池第34页，共65页，星期日，2025年，2月5日(3)频率特性204060801000I/%1234512f/kHz1——硅光电池2——硒光电池第35页，共65页，星期日，2025年，2月5日（4）温度特性2004060904060UOC/mVT/oCISCUOCISC/μA600400200UOC——开路电压ISC——短路电流硅光电池在1000lx照度下的温度特性曲线第36页，共65页，星期日，2025年，2月5日三、光敏晶体管光敏二极管光敏三极管第37页，共65页，星期日，2025年，2月5日1.光敏二极管光敏二极管符号光敏二极管接线?RL光PNPN光第38页，共65页，星期日，2025年，2月5日**工作原理光电流与照度之间呈线性关系，即光照特性是线性的，所以适合检测等方面的应用。第39页，共65页，星期日，2025年，2月5日2.光敏三极管PPNNNPebbcRLEec第40页，共65页，星期日，2025年，2月5日工作时要保证集电极反偏，发射极正偏。RLE光敏三极管的工作原理分为两个过程：一是光电转换；二是光电流放大。光电转换部分是在集-基结区内进行，而集电极、基极、发射极构成了一个有放大作用的晶体管。第41页，共65页，星期日，2025年，2月5日光敏三极管的主要特性：相对灵敏度/%硅锗入射光λ/?400080001200016000100806040200（1）光谱特性光敏三极管存在一个最佳灵敏度的峰值波长。第42页，共65页，星期日，2025年，2月5日光敏三极管的伏安特性（2）伏安特性光敏三极管能把光信号变成电信号，而且输出的电信号较大。0500lx1000lx1500lx2000lx2500lxI/mA24620406080U/V第43页，共65页，星期日，2025年，2月5日光敏晶体管的光照特性I/μAL/lx200400600800100001.02.03.0光敏三极管既可作线性转换元件，也可作开关元件。（3）光电特性第44页，共65页，星期日，2025年，2月5日暗电流/mA光电流/mA10203040506070T/oC2505010002003004001020304050607080T/oC光敏晶体管的温度特性（4）温度特性第45页，共65页，星期日，2025年，2月5日光敏三极管的频率特性受负载电阻的影响，减小负载电阻可以提高频率响应。入射光调制频率/HZ0100100050050001000020406010080RL=1kΩRL=10kΩRL=100kΩ相对灵敏度/%光敏晶体管的频率特性（5）频率特性第46页，共65页，星期日，2025年，2月5