原创力文档- 1、本文档共4页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）实用新型专利
（10）申请公布号
CN203491261U
（43）申请公布日2014.03.19
（21）申请号CN201320581921.2
（22）申请日2013.09.18
（71）申请人昆山西钛微电子科技有限公司
地址215300江苏省苏州市昆山市开发区龙腾路112号
（72）发明人王晔晔;张春艳;黄小花;戴青;陆明;廖建亚;朱琳;张良;范俊;沈建树;朱林;丁超
（74）专利代理机构昆山四方专利事务所
代理人盛建德
（51）Int.CI
权利要求说明书说明书幅图
（54）发明名称
晶圆级芯片的CIS封装结构
（57）摘要
本实用新型公开了一种晶圆级芯片的CIS
封装结构，每个芯片单元包括硅基材层，相邻两
个硅基材层之间形成切割道，沿切割道开设有槽
状第一开口，第一开口厚度方向贯通硅基材层，
且第一开口的宽度大于后续切割所使用的刀片的
厚度，在第一开口上方两侧的硅基材层上分别开
设有若干个孔状第二开口，且若干个第二开口沿
第一开口长度方向间隔排布，第二开口贯通硅基
材层。要求第一开口的深度小于硅基材层厚度
时，在第一开口和第二开口形成之前，在硅基材
层切割道处先开设宽度大于两边芯片PIN脚距离
的槽状第三开口。本实用新型能够有效避免芯片
切割时产生晶圆表面硅微裂，减少在切割时造成
的芯片不必要的损伤，使芯片中间的硅基材层保
持完整无裂纹。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
2014-03-19授权授权
权利要求说明书
晶圆级芯片的CIS封装结构的权利要求说明书内容是请下载后查看
说明书
晶圆级芯片的CIS封装结构的说明书内容是请下载后查看
文档评论（0）