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二.导体、绝缘体和半导体的能带结构空带满带（2）价带是满带，但满带与空带相重叠。电子很容易从满带跃迁到空带中而导电。金属Mg、Zn、Be属此类。空带导带（3）价带是未满的导带，而它又与相邻的空带重叠。电子很容易跃迁导电。金属Na、K、Cu、Al、Ag属此类。导带SHAREDCOMMITMENT.SHAREDRESOURCES.ONESOLUTION.SHAREDCOMMITMENT.SHAREDRESOURCES.ONESOLUTION.******************************************第二章半导体材料的成份与结构半导体材料是一种导电能力介于导体与绝缘体之间的材料。导体电阻率10-4Ωcm半导体电阻率10-3~108Ωcm绝缘体电阻率108Ωcm,或1010Ωcm材料按导电能力一、固体（半导体）材料的分类：材料按能带特点分类能带特点导体最高占据能带为部分填充，无能隙存在半导体绝对零度时，所有能带全满或全空，存在能隙，但是能隙较小（5.0eV）导电能力介于导体与绝缘体之间，掺杂后导电能力有很大变化。绝缘体绝对零度时，所有能带全满或全空，存在能隙，但是能隙较大（5.0eV）电阻率很大，即使掺杂后导电能力也不会有很大变化。半导体材料按成份分类分类成份元素半导体由单一元素构成，如锗、硅、硒合金半导体由两种性能接近的元素构成，如GexSi1-x化合物半导体两种或两种以上元素构成的半导体材料，如InP、GaAs、GaN、SiC等氧化物半导体一种特殊的化合物半导体，成份为金属氧化物有机半导体有机高分子材料，如电荷转移络合物、芳香族化合物半导体材料按结构分类分类晶体结构单晶半导体整个半导体材料为一个完整的晶体，原子有序排列。多晶半导体半导体材料中分成许多晶粒，每个晶粒均为完整的晶体。非晶半导体半导体材料中的原子无序排列，没有周期性。异质结构两种不同半导体材料构成的半导体结构。量子阱两层禁带宽度较大的半导体材料中夹一层禁带宽度较小的半导体材料。超晶格半导体多个量子阱周期性排列构成的结构，具有周期性，阱与阱之间有相互作用。低维半导体材料一个或一个以上尺度上为纳米量级的半导体结构，如纳米点、线、管、薄膜等。复合半导体由两种性能不同的半导体材料复合形成的半导体材料，包括无机/无机、无机/有机、有机/有机复合的半导体材料。半导体材料按功能分类分类功能电子材料用于制造各种分立的电子器件及集成电路等光电子材料用于制造光波导、光放大、光运算、光开关、光转换、光存储、光电转换器件辐射探测材料用于探测各种辐射，包括热、光、射线、高能粒子等发光材料半导体发光，如发光二极管、激光二极管等气敏半导体用于检测气体，特别是用于有害气体探测磁敏半导体霍尔效应、磁阻效应，用于传感器、磁记录等热电半导体热敏元件，辐射计，热-电转换、热电成像压敏材料用于测量压力、加速度等湿敏材料用于湿度测量二、晶体结构预备知识理想晶体的原子排列具有周期性，或长程有序。晶格——晶体中原子排列的具体形式称为晶格（或格子）。原子球的正方排列体心立方晶格的堆积方式2.原胞——一个晶格的最小的周期性单元。原胞示意图3.晶格基矢——原胞的边矢量（单位矢量）。 能通过平移画出整个点阵的最小可能的矢量。简单立方：面心立方：在结晶学中，选某一格点为原点O，任一格点A的格矢为0101020304格矢（平移矢量）为对应晶轴上的投影，取整数。为晶轴上的单位矢量。0203045.布拉菲格子——由同种原子构成的点阵。6.复式格子——结点由两种或两种以上原子构成的点阵，各种原子各自构成相同的布拉菲格子，但相互有一个位移，形成一个复式点阵。7.晶列——布拉菲格子的格点可以看成分布在一系列相互平行的直线系上，这些直线系叫晶列。8.晶向——每一个晶列定义了一个方向，称为晶向。 如果从一个原子沿晶向到最近的原子的位移矢量为则晶向就用l1,l2,l3来标志，写成[l1l2l3]——晶向指数晶列晶向9.晶面——布拉菲格点还可看成分列在平行等距的平面系上，这样的平面称为晶面。密勒指数（h1h2h3）：|h1|、|h2|、|h3|表示等距的晶面分别把基矢a1、a2、a3分割成多少个等份。(110)(1