硅通孔界面损伤机理及影响因素的深度剖析与研究.docx

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，电子产品不断向小型化、高性能化、多功能化方向迈进，这对集成电路的封装技术提出了更高要求。在传统的二维（2D）芯片封装中，信号传输主要通过平面布线实现，随着芯片集成度的不断提高，这种方式面临着信号传输延迟大、功耗高、布线复杂度增加等问题。为了突破这些瓶颈，三维（3D）封装技术应运而生。

硅通孔（Through-SiliconVia，TSV）技术作为实现3D封装的关键技术，在现代集成电路制造中占据着举足轻重的地位。它通过在芯片或晶圆的硅基板上制作垂直的通孔，并填充导电材料，实现了芯片内部不同层级或芯片之间的直接电气连接。这种垂直互