YJ扬杰ALL MOSFET YJG012G10H规格说明书.pdf

下载文档

0
0
约1.61万字
约 9页
2025-02-21 发布于广东
举报
版权申诉
保障服务

YJ扬杰ALL MOSFET YJG012G10H规格说明书.pdf

1、本文档共9页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

YJG012G10H

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

下ProductSummary100V

二Vps

ep67A

aeRpsloNi(atVcs=10V)12mo

e100%EASTested

e100%YVpsTested

GeneralDescription

eSplitgatetrenchMOSFETtechnology

TopViewBottomView

bbopbeExcellentpackageforheatdissipation

879695seHighdensitycelldesignforlowRbstoN

]eMoistureSensitivityLevel1

工eEpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating

PDFN5060-8L业seHalogenFree

工。

Applications

-中3。CPowerSwitchingapplication

SSS0eUninterruptiblepowersupply

eDC-DCconvertor

LimitingValues

ParameterConditionsSymbolMinMaxUnit

Drain-sourceVoltageVos-100

Gate-sourceVoltage名-2020

TA=25C,Ves=10V-10

ContinuousDrainCurrent(Note1,2)Steady-State

Ta=100*C,Vss=10V-了

可

Te=25C,Ves=10V,Chiplimitation,67

ContinuousDrainCurrent(Note1,3)Steady-State

您可能关注的文档

文档评论（0）

说明书资料库 + 关注: 实名认证

内容提供者

说明书有多个型号，找不到时可查相近型号。可代找，私信联系。

咨询Ta 进入空间

用户编号：7105131051000023

1亿VIP精品文档

更多 >

YJ扬杰ALL MOSFET YJG012G10H规格说明书.pdf