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第58卷第3期电力电子技术Vol.58,No.3
2024年3月PowerElectronicsMarch2024
SiCMOSFET测试系统设计与开关特性分析
易程1，文
伍娟1，崔昊杨，杨阳2
201306;
（1.上海电力大学，电子与信息工程学院，上海
2.西安理工大学，自动化与信息工程学院，陕西西安710048)
摘要：以碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）为代表的第3代半导体功率器件因其优异的
开关特性，在新能源等领域被广泛应用，但面对高速开关耦合寄生参数所产生的负面效应，使得测试系统难以
快速、准确评估其开关瞬态等相关参数。首先，根据改进的双脉冲模型设计了一种高精度测试系统，硬件主要
包括功率测试板、集成脉冲发生器的控制板及驱动板，软件主要利用Keil编写控制板程序，LabVIEW进行用户
界面设计。其次，还探讨了电压和电流测量技术、连接技术和测量数据的处理，并且结合器件数据手册及仿真
结果分析实测结果，表明该系统测量误差小，量程大，抗干扰能力强，可信度高，能为优化第3代半导体器件和
驱动电路的设计和应用提供有益支持。
关键词：晶体管；碳化硅；测试系统；开关特性
中图分类号：TN32文献标识码：A文章编号：1000-100X(2024)03-0134-04
DesignofSiCMOSFETTestSystemandAnalysisofSwitchingCharacteristics
WUJuan,CUIHao-yang,YANGCheng,WENYang?
(1.ShanghaiUniversityofElectricPower,Shanghai201306,China)
Abstract:Thethird-generationsemiconductorpowerdevices,representedbysiliconcarbidemetal-oxide-semiconductor
field-effecttransistors(SiCMOSFET),arewidelyusedinfieldssuchasnewenergyduetotheirexcellentswitching
characteristics.However,thenegativeefectscausedbyhigh-speedswitchingcouplingparasiticparametersmakeitdif-
ficulttorapidlyandaccuratelyevaluatetheswitchingtransientandotherrelatedparametersofthesedevices.Firstly,a
high-precisiontestsystembasedonanimproveddouble-pulsemodelisdesigned.Thehardwaremainlyincludesa
powertestboard,acontrolboardwithanintegratedpulsegenerator,andadriverboard.ThesoftwareutilizesKeilto
writecontrolboardprogramsandLabVIEWforuserin
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