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IR2104中文数据手册

1.简介

IR2104是一款由美国国际整流器公司（InternationalRectifier）生产的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器芯片。它采用专有的高压集成电路（HVIC）技术和抗锁存CMOS技术，具有坚固的单片机架构，专为高压和高速应用设计。该芯片广泛应用于电机驱动、电源转换和工业控制等领域。

2.核心特点

高压驱动能力：IR2104的浮动通道设计支持驱动高侧N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压范围为10V至600V，能够承受+600V的反向瞬变电压。

栅极驱动电压范围：支持10V至20V的栅极驱动电压，确保高效驱动功率器件。

逻辑输入兼容性：逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，支持低至3.3V的逻辑电平，满足多种逻辑电路需求。

欠压锁定保护：内置欠压锁定功能，确保器件在供电电压不足时自动关闭，保护电路安全。

高脉冲电流缓冲设计：输出级采用高脉冲电流缓冲设计，有效减少驱动器交叉传导，提高系统稳定性。

死区时间设置：内部集成死区时间控制，防止上下桥臂同时导通，提升电路可靠性。

3.应用领域

电机驱动：如直流无刷电机、步进电机等，实现高效精确控制。

电源转换：如DCDC转换器、逆变器等，提供稳定的高压输出。

工业控制：如变频器、焊接设备等，满足工业场景中对高功率和精确控制的需求。

4.技术规格

供电电压范围：10V至20V。

输入逻辑电压：3.3V、5V或15V。

输出电流：高侧拉电流为0.21A，低侧灌电流为0.36A。

封装形式：DIP8和SOIC8可选，便于PCB布局和焊接。

工作温度范围：40°C至125°C。

5.引脚功能

IR2104采用8引脚封装，各引脚功能如下：

1.VCC：芯片主电源输入。

2.GND：芯片接地。

3.HIN：高端输入信号。

4.HO：高端输出信号。

5.LIN：低端输入信号。

6.LO：低端输出信号。

7.BOOT：自举电容连接端，用于高侧驱动。

8.VS：高端电源输入。

6.资源

IR2104中文数据手册

7.电路设计指南

自举电容选择：自举电容（通常为0.1μF）用于在高侧驱动时提供稳定的电压。建议选择具有快速充电特性的电容，以减少开关过程中的电压波动。

栅极电阻配置：栅极电阻的选择会影响MOSFET的开关速度和功耗。较大的电阻值可以降低功耗，但会增加开关延迟；较小的电阻值可以提高开关速度，但会增加功耗。建议根据具体应用需求进行选择。

散热设计：IR2104在高压、高速应用中会产生一定的热量。为了确保芯片的稳定运行，建议在PCB设计中加入适当的散热措施，例如增加散热片或优化布局。

8.典型应用电路

+VCC

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|[自举电容]BOOT

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