7.2 PN结与二极管相关知识.pptx

在一块本征半导体上，通过一定的掺杂工艺，一边形成P型半导体，一边形成N型半导体，那么在交界面处将形成一个具有特殊功能的薄层，称为PN结。在P型半导体和N型半导体的两侧，由于载流子浓度的差别形成多子的扩散运动，P区的空穴向N区扩散，N区的电子向P区扩散。P区一侧失去空穴留下不能移动的负离子，N区一侧则失去电子留下不能移动的正离子，这些离子不能参与导电，在P区和N区交界面处形成正、负离子的薄层，称为空间电荷区，并产生内电场，方向由N区指向P区，该电场的逐渐建立将阻碍多子扩散运动的进行。另一方面，在P型和N型半导体的内部还存在少子，空间电荷区的内电场有利于少子形成漂移运动。随着内电场的逐渐建立，多子的扩散运动逐渐减弱，少子的漂移运动随之增强，最终到达动态平衡，此时空间电荷区的宽度基本保持不变。;PN结最基本的特性就是单向导电性，即外加正向电压，PN结导通；外加反向电压，PN结截止。

（1）外加正向电压。

当PN结加上正向电压，即P区一侧接直流电源正极，N区一侧接直流电源负极时，称PN结正向偏置，如图7-6所示。

由于外加电压产生的外电场和PN结的内电场方向相反，外电场的存在将削弱内电场的作用，使PN结的空间电荷区变窄，有利于两区的多数载流子向对方扩散，形成正向电流IF，此时PN结处于正向导通状态。

在正常的工作范围内，正向电压稍有变化，流过PN结的电流就会发生显著变化。PN结的正向电阻很小，为了防止PN结因电流过大而损坏，必须在回路中串接限流电阻R。;7.2PN结与二极管;（2）外加反向电压。

当PN结加上反向电压，即P区一侧接直流电源负极，N区一侧接直流电源正极时，称PN结反向偏置，如图7-7所示。;由于外加电压产生的外电场和PN结的内电场方向相同。外电场的存在将加强内电场的作用，使PN结的空间电荷区变宽，阻碍了多数载流子的扩散运动。在外电场的作用下，只有两区的少数载流子形成微弱的反向电流IR，此时PN结处于反向截止状态。

应该注意的是，少数载流子是由于本征激发产生的，因此反向电流IR受温度影响比较大。

综上所述???PN结具有单向导电性：正向偏置时导通，正向电阻很小；反向偏置时截止，反向电阻很大。;二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。由P区引出的电极称为阳极，N区引出的电极称为阴极。因为PN结具有单向导电性，所以二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极的。图7-8为常用二极管的符号、结构和外形示意图。;7.2PN结与二极管;按材料来分，最常用的有硅管和锗管两种；按用途来分，有普通二极管、整流二极管和稳压二极管等多种。按结构来分，有点接触型、面接触型和硅平面型几种，点接触型二极管（一般为锗管）的特点是结面积小，结电容小，允许通过的电流也小，适用于高频电路的检波或小电流的整流，也可用作数字电路里的开关元件；面接触型二极管（一般为硅管）的特点是结面积大，结电容大，允许通过的电流较大，适用于低频整流；硅平面型二极管，结面积大的可用于大功率整流，结面积小的适用于脉冲数字电路用作开关管。;二极管的性能可以通过它的伏安特性曲线加以描述。伏安特性是指流过二极管的电流和外加电压的关系。若以外加电压作为横坐标，流过二极管的电流作为纵坐标，用作图法将相应的工作点连成平滑的曲线，即形成二极管的伏安特性曲线。不同的管子具有不同的伏安特性曲线，它是选择和使用二极管的重要依据。图7-9给出了某二极管的伏安特性曲线。;（1）正向特性。

外加正向电压可以使PN结的空间电荷区变窄，有利于多子的扩散运动。但当外加正向电压较小时，外电场产生的作用力还不足以克服内电场对多子扩散运动所形成的阻力，因此正向电流非常微弱。

当正向电压超过某个数值（图7-9中的Uth）以后，正向电流明显增大，二极管处于导通状态，呈现很小的正向导通电阻。这一电压称为导通电压（或门槛电压）,通常硅管的导通电压为0.6～0.7V，锗管的导通电压为0.2～0.3V。;（2）反向特性。

二极管外加反向电压时，在开始很大的范围内，反向电流很小且基本不随反向电压变化，二极管呈现很大的电阻，电路相当于断开状态。此时的电流称为反向饱和电流（IS）。小功率锗管的IS约为几个微安，硅管的IS一般小于0.1μA。

（3）反向击穿特性。

加到二极管上的反向电压达到一定数值后，反向电流急剧增加，这种现象称为反向击穿。反向击穿电压（UBR）一般在几十伏以上。;一般情况下，二极管都有一定的标注，塑料封装二极管有标记环的一侧是负极；国产二极管带色点的一端为正极。

无标记的二极管，或者要检测好坏的二极管，可