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一种新型无LDD的SOI金属氧化物半导体场效应晶体管短沟道效应的抑制.pdf

一种新型无LDD的SOI金属氧化物半导体场效应晶体管短沟道效应的抑制.pdf

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    一种新型无LDD的SOI金属氧化物半导体场效应晶体管短沟道效应的抑制摘要

    一种新型无LDD的SOI金属氧化物半导体场效应晶体管

    短沟道效应的抑制

    摘要

    随着摩尔定律不断延续，通过不断缩小沟道长度，半导体器件具有了更强的性能、

    更高的集成度。然而，这种缩小也使得器件中短沟道效应愈发明显，诱使器件亚阈值

    摆幅、泄漏电流等特性发生恶化，增加器件功耗，使得半导体器件等比例缩小

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