直流输电工程晶闸管换流阀.pptVIP

单阀晶闸管串联数单阀串联晶闸管元件数由下式确定： nmin=SIPL×kd×kim/VDSM=73.6 其中： SIPL：跨阀的操作波保护水平； kd：操作冲击电压下单阀的电压分布系数； kim：操作冲击电压下的安全系数； VDSM：晶闸管断态非重复峰值电压； 考虑3%冗余取nmin=74，工程设计仅需要76只晶闸管串联，本工程设计单阀为78只。阻尼均压回路LTT晶闸管的门极触发由光脉冲完成。光脉冲是由阀底部电子柜（VBE）通过光缆系统直接触发每个晶闸管的门极。因此，ETT阀中的晶闸管门极电子电路、辅助电源以及任何防止电磁干扰的设备（EMI）是不需要的。当超过其允许电压值时，集成在光触发晶闸管内的正向保护BOD触发该晶闸管。外部的保护触发回路常用于电触发的晶闸管。光触发晶闸管不再需要这些回路。12限制晶闸管开通的电流上升率；限制晶闸管瞬态陡前波冲击电压；和阻尼电路配合，改善串联联接的晶闸管间的电压不均匀分布阀饱和电抗器主要功能如下：视每个阀组件中的器件数量而定，折衷选取最小值重量要易于维护和检修。每个阀段设计有两台电抗器。阀饱和电抗器电抗器参数及外型的设计原则：组件均压电容为确保因杂散电容的影响，造成瞬态陡波冲击在阀段间的不均匀分布，每个阀段并联一个5.5nF的冲击电容,内部绝缘采用为氮气和SF6气体，护套为硅橡胶并设计有一定的爬电距离，电压与13个晶闸管串联时阀段电压在各种电压应力下的电压相匹配，组件结构设计时充分考虑了冲击电容与周围带电体的空气间隙。避雷器保护换流阀为四重阀结构，但保护设计的原则是对每一个单阀进行的。每个单阀由78只3000A/8kV的LTT晶闸管串联而成。晶闸管为电力半导体器件，对电压、电流的过载能力较低，通常当其两端电压超过其可重复电压时在几个周波内就可能导致其损坏。在晶闸管的串联应用中上述问题尤为突出。已损坏的晶闸管将不承担电压，势必造成其余晶闸管承担电压的增加，依次类推，有可能造成雪崩导致全阀击穿，为此作为第一级保护，每个单阀均并联一个阀避雷器。在德宝工程中，考虑每个单阀去掉3个冗余其耐压水平为：8kV?75=600kV，考虑到晶闸管均压的不均匀性，在设计上确定的阀实际耐压水平为：571.4kV。阀避雷器保护动作值设定为：496.3kV，即在阀耐压水平的87%左右阀避雷器保护动作从而有效保护阀BOD保护作为第二级保护，换流阀通常在每个LTT晶闸管内集成了一个BOD器件（BreakOverDiode）作为该晶闸管的正向保护。BOD动作电压为7500V?100V。整阀的BOD正向保护水平为7500?75=562.5kV。考虑到BOD动作的分散性和晶闸管均压的不均匀性，设计确认的BOD保护动作值为536kV。0102晶闸管在电流过零关断后，由于结电容存在一个反向恢复电流，这就需要一定的反向恢复时间。在反向恢复期内载流子依然很活跃，过高的du/dt导致反向恢复电流过大，造成硅片局部过热而损坏晶闸管。这时必须使晶闸管触发导通，使其免受过高du/dt的损坏。因此，在换流阀中设计了RPU单元对晶闸管在反向恢复期进行保护。反向恢复期保护德宝工程中LTT晶闸管反向恢复期为：300?s?400?s。设计最终考虑3倍的裕度，保护区间设定为1.3ms。du/dt动作值设定为100V/?s。其它保护电流保护 晶闸管换流阀的电流保护是： ——过电流保护； ——短路电流保护； ——换相故障保护； ——误触发过流保护。漏水保护 ——膨胀水箱烟雾报警系统晶闸管冗余和可靠性冗余量不能小于阀整个晶闸管数量3%，德宝工程设计值：3只晶闸管级冗余是78只晶闸管级的3.8%。在运行的12个月中，一个完整12脉动换流阀，不能有多于一个阀的冗余量被耗尽。德宝工程设计值：晶闸管损坏最大量是3只。冗余量必须满足下面要求：阀短路有后续闭锁，浪涌电流、重复电压、晶闸管结温和时间的关系曲线阀短路无后续闭锁，浪涌电流、重复电压、晶闸管结温和时间关系曲线晶闸管故障监测系统主要功能是在线监测晶闸管、阻尼均压电路、晶闸管电子线路、光信号传输系统及光缆的故障。它是处于地电位的阀底部电子设备柜（VBE）的一部分。晶闸管故障监测系统将光缆送来的阀上的回报信号进行估值计算。正常运行时，该系统能够在每个周波内检测出阀上的任何故障。但对同一故障连续检测三次，当其完全相同时才预以确认，以防故障的误判别。晶闸管、晶闸管电压监测板TVM、光缆以及保护触发（BOD）故障时都能被打印出来，并标明故障发生的日期、时间、原因以及晶闸管级的位置。1当损坏的晶闸管达到阀的冗余时，就会发出一个报警信号。超过冗余时，将危及阀的安