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RHEED??反射高能电子衍射由于采用掠射方式，RHEED对样品制备有很严格的要求，即样品表面要经过抛光，并且要求在很大范围内是一平面。如果表面粗糙，则针尖或凸起部分将挡住表面的其余部分，这时电子将穿过凸起部分，产生体材料的衍射图案，荧光屏上显示的是一系列光点而不是条纹。从这个角度来说，RHEED对表面十分敏感，并可用于研究表面的三维效应，如氧化、腐蚀、外延生长。RHEED??反射高能电子衍射与LEED相比，RHEED的荧光屏不需要加高压电源，因为衍射电子本身有足够大的能量。荧光屏可做成平面，一般荧光粉直接涂在观察窗的内壁，只要有半透明导电层防止电荷积累就可以了。荧光屏前可以不加能量过滤，因为在很窄的角度内，衍射束比非弹性散射电子及次级电子强得多。RHEED的电子枪需要耐高压引线及高压电源，比LEED稍复杂一些。RHEED??反射高能电子衍射理论上RHEED比较困难一些，在研究强度时也要考虑多次散射问题。在用分波描述离子芯的散射时，相移数随波数增加，对RHEED需要考虑100个相移。此外，对RHEED来说，前向散射是主要的。最近发展的RHEED新理论认为，倒易晶格杆“变宽”与声子散射有关，由此推出RHEED对表面结构如吸附层的吸附位置等很敏感。01040203根据激发源的不同，电子能谱分为:X射线光电子能谱(简称XPS)(X-RayPhotoelectronSpectrometer)紫外光电子能谱(简称UPS)(UltravioletPhotoelectronSpectrometer)俄歇电子能谱(简称AES)(AugerElectronSpectrometer)电子能谱电子能谱的基本原理能量关系可表示：原子的反冲能量忽略(0.1eV）得电子结合能电子动能基本原理就是光电效应。对固体样品，必须考虑晶体势场和表面势场对光电子的束缚作用，通常选取费米(Fermi)能级为的参考点。0k时固体能带中充满电子的最高能级对孤立原子或分子，就是把电子从所在轨道移到真空所需的能量，是以真空能级为能量零点的。功函数功函数为防止样品上正电荷积累，固体样品必须保持和谱仪的良好电接触，两者费米能级一致。实际测到的电子动能为：仪器功函数特征：XPS采用能量为的射线源，能激发内层电子。各种元素内层电子的结合能是有特征性的，因此可以用来鉴别化学元素。UPS采用或作激发源。与X射线相比能量较低，只能使原子的价电子电离，用于研究价电子和能带结构的特征。AES大都用电子作激发源，因为电子激发得到的俄歇电子谱强度较大。光电子或俄歇电子，在逸出的路径上自由程很短，实际能探测的信息深度只有表面几个至十几个原子层，光电子能谱通常用来作为表面分析的方法。紫外光电子谱是利用能量在的真空紫外光子照射被测样品，测量由此引起的光电子能量分布的一种谱学方法。忽略分子、离子的平动与转动能，紫外光激发的光电子能量满足如下公式：由于光源能量较低，线宽较窄（约为0.01eV),只能使原子的外层价电子、价带电子电离，并可分辨出分子的振动能级,因此被广泛地用来研究气体样品的价电子和精细结构以及固体样品表面的原子、电子结构。紫外光电子能谱(UPS)设蒸发源为点蒸发源，单位时间内通过任何方向一立体角dω的质量为：01020304蒸发物质到达任一方向面积元ds质量为设蒸发物的密度为ρ，单位时间沉积在ds上的膜厚为t，则05比较以上两式可得对于平行平面ds，φ=θ，则上式为由可得在点源的正上方区域(δ=0)时，薄膜厚度的测量1.干涉显微镜法干涉条纹间距Δ0，条纹移动Δ，台阶高为，测出Δ0和Δ，即可测得膜厚t其中λ为单色光波长，如用白光，λ取待测薄膜基片如果薄膜面积A，密度ρ和质量m可以被精确测定的话，膜厚t就可以计算出来：称重法1石英晶体振荡器法广泛应用于薄膜沉积过程中厚度的实时测量，主要应用于沉积速度，厚度的监测，还可以反过来（与电子技术结合）控制物质蒸发或溅射的速率，从而实现对于沉积过程的自动控制。2110011A02单原子层03硬脂酸04厚膜05薄膜06薄膜尺寸范围---1μm氮化钛薄膜金刚石薄膜SEM下的金刚石薄膜磁性薄膜MB软盘格式化区，左图表面结构，右图为磁力影像C