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1+X集成电路理论试题与参考答案
一、单选题(共39题,每题1分,共39分)
1.下列选项中不属于芯片外观不良的是()。
A、印章不良
B、塑封体开裂
C、电源电流过大
D、管脚压伤
正确答案:C
2.使用化学机械抛光进行粗抛时,抛光区域温度-般控制在()
A、38~50°C
B、20~50°C
C、20~30°C
D、20~38°C
正确答案:A
答案解析:一般抛光区的温度控制在38~50°C(粗抛)和20~30°C(精抛)。
3.若想取下蓝膜上的晶圆或晶粒,需要照射适量(),能降低蓝膜的黏着力。
A、红外线
B、太阳光
C、蓝色光源
D、紫外线
正确答案:D
答案解析:对需要重新贴膜或加工结束后的晶圆,需要从蓝膜上取下,此时只需照射适量紫外线,就能瞬间降低蓝膜黏着力,轻松取下晶圆或晶粒。
4.清洗是晶圆制程中不可缺少的环节,使用SC-2清洗液进行清洗时,可以去除的物质是()。
A、光刻胶
B、颗粒
C、金属
D、自然氧化物
正确答案:C
5.使用转塔式分选设备进行芯片测试时,其测试环节的流程正确的是()。
A、测前光检→测后光检→芯片分选→测试
B、芯片分选→测前光检→测后光检→测试
C、测前光检→测试→测后光检→芯片分选
D、测前光检→测后光检→测试→芯片分选
正确答案:C
6.利用平移式分选设备进行芯片测试时,设备在测试区完成测试后,会进入()环节。
A、分选
B、真空包装
C、外观检查
D、上料
正确答案:A
7.常用的干法去胶方法有()。
A、溶剂去胶
B、氧化剂去胶
C、等离子去胶
D、介质去胶
正确答案:C
答案解析:常用的去胶方法有溶剂去胶、氧化剂去胶、等离子去胶,其中干法去胶的方法为等离子去胶。
8.在集成电路中,将掩膜版上的图形位置及几何尺寸转移到光刻胶上的工艺是()。
A、薄膜制备
B、光刻
C、刻蚀
D、金属化
正确答案:B
答案解析:在集成电路中,将掩膜版上的图形位置及几何尺寸转移到光刻胶上的工艺是光刻。
9.转塔式分选机日常维护包括()。
A、不易保养的部位进行拆卸检查
B、更换磨损部件
C、紧固螺丝,电气电路的检查
D、ABC选项都包括
正确答案:D
10.重力式分选机进行芯片检测时,如果出现上料槽无料管,应采取()的处理方式。
A、人工加待测料管
B、人工换料管
C、人工加空料管
D、人工将卡料取出
正确答案:A
答案解析:重力式分选机进行芯片检测时,如果出现上料槽无料,需要人工加待测料管。
11.在控制LED灯的任务中,PB-OUTEN=0x00ff的意思是()。
A、PB0~PB7设置为输入方式
B、PB0~PB7设置为输出方式
C、PB0~PB7设置为高电平
D、PB0~PB7设置为低电平
正确答案:B
12.元器件的标志方向应按照图纸规定的要求,若装配图上没有指明方向,则应使标记向外易于辨认,并按照()的顺序读出。
A、从左到右、从上到下
B、从右到左、从上到下
C、从右到左、从下到上
D、从左到右、从下到上
正确答案:D
13.芯片检测工艺中,管装装内盒时,在内盒上贴有()种类型的标签。
A、4
B、1
C、3
D、2
正确答案:D
14.该图是()的版图。
A、D触发器
B、一位全加器
C、传输门
D、与非门
正确答案:A
15.晶圆检测工艺中,进行晶圆烘烤时,温度一般设置在()℃。
A、130
B、110
C、120
D、150
正确答案:C
16.重力式分选机进行芯片检测时,测试机对芯片测试完毕后,将检测结果通过()把结果传回分选机。
A、GPIB
B、数据线
C、串口
D、VGA
正确答案:A
17.切筋成型工序中,设备在完成模具内的切筋与成型步骤后,下一步是()。
A、装料
B、下料
C、核对数量
D、人工目检
正确答案:B
18.芯片检测工艺中,整批芯片完成外观检查后,需要进入()环节。
A、测试
B、上料
C、真空包装
D、编带
正确答案:C
19.重力式分选设备进行芯片并行测试时,在测试轨道完成芯片测试后,下一环节需要进行()操作。
A、外观检查
B、上料
C、分选
D、真空入库
正确答案:C
20.“6s”的管理方式相较于“5s”,多的一项内容是()。
A、整理
B、整顿
C、清洁
D、安全
正确答案:D
答案解析:5S即整理、整顿、清扫、清洁、素养。6S管理是5S的升级,6S即整理、整顿、清扫、清洁、素养、安全(SECURITY)。
21.在用万用表测量晶体管、电解电容等有极性元件的等效电阻时,必须注意()。
A、选择欧姆挡位
B、选择较大量程
C、注意两支笔的极性
D、以上都是
正确答案:C
22.平移式分选机设备分选完成后,进入()环节。
A、上料
B、测试
C、外观检查
D、真空入库
正确答案:C
答案解析:平移式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为:上料
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