《电子技术基础》课件_第1章.ppt

第一章半导体二极管及其应用第一章半导体二极管及其应用第一章半导体二极管及其应用第一节半导体二极管的结构、特性及其基本应用第二节特殊二极管及其应用半导体器件是现代电子技术的重要组成部分。由于半导体器件具有体积小、重量轻、使用寿命长、能量转换效率高等优点，因而得到了广泛的应用。教学内容:(1)半导体的基本知识、PN结及其单向导电性。(2)半导体二极管的结构、特性曲线和主要参数。(3)特殊二极管和半导体二极管的应用电路。学习目标:(1)了解半导体二极管的结构，熟悉其图形符号、单向导电性，理解半导体二极管的伏安特性及主要参数，能够查阅相关手册。(2)学会半导体二极管识别与检测的基本方法，了解半导体二极管的使用知识，掌握其基本应用。(3)熟悉稳压二极管的图形符号、工作特点及其应用。(4)了解发光二极管、光电二极管和变容二极管的图形符号、工作特点及其应用。

第一节半导体二极管的结构、特性及其基本应用

1.1结构与类型1.结构与符号半导体二极管由PN结加上引线和管壳构成，如图1.1所示。2.类型半导体二极管的种类很多，按材料分为硅二极管和锗二极管;按结构分为点接触型二极管、面接触型二极管和硅平面型二极管。1)点接触型二极管点接触型二极管的特点是结面积小，结电容小，适用于高频下工作，如图1.2所示，主要应用于小电流的整流和检波、混频等。2)面接触型二极管面接触型二极管的特点是结面积大，能通过较大的电流，但结电容也大，只能工作在较低频率下，可用于整流，如图1.3所示。3)硅平面型二极管硅平面型二极管中，结面积大的，可通过较大的电流，适用于大功率整流;结面积小的，结电容也小，适用于在脉冲数字电路中作开关管。近期，由于电子产品的微型化和轻量化，片状的贴片元器件发展极为迅速。此类器件为无引线或短引线微型元器件，可直接安装于印制电路板表面，在微型收录机、移动通信设备、高频电子仪器、微型计算机等领域得到广泛应用。图1.4所示为二极管的封装和微型二极管的实物示意。1.2特性及主要参数1.单向导电性二极管的主要特性是单向导电性。加在二极管两端的电压称为偏置电压，若将直流电源的正端加到二极管正极(PN结的P区)，负端加到二极管的负极(PN结的N区)，如图1.5(a)所示，称为二极管(PN结)正向偏置，简称正偏。这时电流表示出较大的电流值，二极管的这种状态称为正偏导通，二极管呈现很小的电阻。若将直流电源的正端接二极管的负极，负端接二极管的正极，如图1.5(b)所示，称为二极管(PN结)反向偏置，简称反偏。这时电流表示出的电流值几乎为零，二极管的这种状态称为反向截止，即二极管呈现很大的电阻。这种允许一个方向电流流通的特性，称为单向导电性。2.特性曲线二极管本质就是一个PN结，但是对于真实的二极管器件，考虑到引线电阻和半导体的体电阻及表面漏电等因素的影响，二极管的特性与PN结略有差别。二极管的实测特性曲线如图1.6所示。1)正向特性正向电压低于某一数值时，正向电流很小，只有当正向电压高于某一值后，才有明显的正向电流。该电压称为导通电压，又称为门限电压或死区电压，用Uon表示。在室温下，硅管的Uon约为0.6～0.8V，锗管的Uon约为0.1～0.3V。通常认为，当正向电压U＜Uon时，二极管截止；U＞Uon时，二极管导通。2)反向特性二极管加反向电压，反向电流数值很小，且基本不变，称为反向饱和电流。硅管的反向饱和电流为纳安(nA)数量级，锗管为微安(μA)数量级。当反向电压加到一定值时，反向电流急剧增加，产生击穿。普通二极管反向击穿电压一般在几十伏以上(高反压管可达几千伏)。4)主要参数描述器件的物理量，称为器件的参数。它是器件特性的定量描述，也是选择器件的依据。各种器件的参数可由手册查得。二极管的主要参数有:(1)最大整流电流IF。IF指二极管长期运行允许通过的最大正向平均电流。因为电流通过PN结要引起管子发热，电流过大，发热量超过限度就会烧坏PN结，所以在使用二极管时，通过管子的正向平均电流不允许超过所规定的最大整流电流值。一般地，点接触型二极管的最大整流电流在几十毫安以下，面接触型二极管的最大整流电流可达数百安以上，有的甚至可达几千安以上。(2)最大反向工作电压URM。URM指保证二极管不被击穿而给出的最大反向工作电压。通常是反向击穿电压的1/2～2/3，以保证二极管在使用中不致因反向电压过大而损坏。点接触型二极管的最大反向电压一般在数十伏以下，面接触型二极管的最大反向电压一般可达数百伏。(3)最大反向电流IRM。IRM