《IGBT的导通电压》课件.pptVIP

IGBT的导通电压特性研究本课件将深入探讨IGBT的导通电压特性，分析关键影响因素，并介绍测量方法、降低策略、应用案例以及未来发展趋势。

课程目标与学习要点课程目标全面掌握IGBT的导通电压特性，理解其影响因素和测量方法。学习要点?导通电压定义和重要性

?影响导通电压的关键因素

?导通电压测量方法和分析

?降低导通电压策略

?IGBT的应用案例和未来发展趋势

IGBT的基本结构回顾P型基极连接栅极和发射极，控制电流流动N型发射极注入电子到N-漂移区，形成电流N型集电极连接负载，接收电流N-漂移区主要载流区，电子在其中流动

IGBT的工作原理概述11.栅极控制施加栅极电压控制P型基极的载流子浓度，进而控制发射极向N-漂移区的电流22.导通状态栅极电压足够高时，形成导通通道，电流能够自由流动33.截止状态栅极电压不足时，导通通道关闭，电流无法流动

导通电压的定义IGBT的导通电压是指IGBT从截止状态过渡到导通状态时，需要施加在集电极和发射极之间的电压。换句话说，它是在一定栅极电压下，IGBT开始导通时的电压值。导通电压通常用VCE(on)表示，以伏特(V)为单位。

导通电压的重要性效率较低的导通电压意味着更低的功耗，提高了IGBT的效率，节约能源。热管理降低导通电压有助于减少IGBT的功耗，降低芯片温度，改善热管理性能。可靠性过高的导通电压可能会造成IGBT过热或失效，降低器件的可靠性。

影响导通电压的关键因素温度温度升高会导致导通电压升高栅极电压栅极电压越高，导通电压越低电流大小电流越大，导通电压越高芯片结构芯片的设计参数，如沟槽深度、载流子浓度等，都会影响导通电压

温度对导通电压的影响温度升高温度升高会降低PN结的势垒高度，导致导通电压升高。对于硅基IGBT，导通电压随温度升高而增加的速率约为0.2mV/℃。

结温与导通电压的关系1结温0℃2导通电压VCE(on)=1.5V3结温25℃4导通电压VCE(on)=1.6V5结温100℃6导通电压VCE(on)=1.8V

实验数据分析：温度依赖性结温(℃)导通电压(V)

栅极电压与导通电压的关系栅极电压升高导通电压降低栅极电压降低导通电压升高

不同栅极电压下的导通特性栅极电压(V)导通电压(V)

栅极驱动电路设计考虑驱动电压驱动电压应足够高以保证IGBT完全导通驱动电流驱动电流应足够大以快速开启IGBT驱动速度驱动速度应足够快以避免过渡过程中的损耗电磁兼容性驱动电路设计应考虑电磁干扰问题

电流大小对导通电压的影响电流增加导通电压升高电流降低导通电压降低

电流密度与导通电压关系电流密度是指单位面积上的电流。更高的电流密度会导致更大的导通电压，这是因为更多的电流需要通过相同的面积，导致更高的电阻。

实验数据：电流密度影响电流密度(A/cmsup2/sup)导通电压(V)

芯片面积与导通电压芯片面积越大，导通电压越低。这是因为更大的面积意味着更低的电流密度，从而降低了电阻，导致更低的导通电压。

IGBT芯片设计优化1沟槽栅极结构提高电流密度，降低导通电压2载流子浓度优化降低电阻，降低导通电压3缓冲层设计提高载流子迁移率，降低导通电压

沟槽栅极结构的影响沟槽栅极在栅极区域引入沟槽，增加栅极与N-漂移区之间的接触面积，提高电流密度。平面栅极栅极区域没有沟槽，接触面积较小，电流密度较低。

平面栅极与沟槽栅极对比1.5V平面栅极导通电压1.2V沟槽栅极导通电压

载流子浓度对导通电压的影响载流子浓度是指半导体材料中自由电子的浓度。载流子浓度越高，电阻越低，导通电压越低。

P+注入层的作用P+注入层是位于P型基极与N型发射极之间的薄层，其目的是提高载流子浓度，降低电阻，从而降低导通电压。

N-漂移区的影响N-漂移区是IGBT的主要载流区，其电阻直接影响导通电压。通过调整N-漂移区的掺杂浓度和厚度，可以有效降低导通电压。

缓冲层设计考虑缓冲层是位于N-漂移区和集电极之间的薄层，其目的是降低电阻，提高载流子迁移率，从而降低导通电压。缓冲层通常使用掺杂浓度较高的硅材料制成。

导通电压测量方法导通电压的测量需要使用专门的测试设备和电路，通过施加栅极电压和集电极电流，测量集电极和发射极之间的电压，从而得到导通电压。

测量设备介绍电源提供栅极电压和集电极电流示波器用于观察和测量电压波形数据采集系统用于记录和分析测试数据

测量注意事项1温度控制测试环境的温度必须保持稳定，以确保测量结果的准确性2电流控制测试电流必须保持稳定，以避免电流波动对导通电压测量结果的影响3栅极电压控制栅极电压必须保持稳定，以确保IGBT完全导通

典型测量电路典型的导通电压测量电路包括电源、负载、电压测量仪器、数据采集系统等。通过控制电源的输出电压和电流，并使用电压测量仪器测量集电极和发射极之间的电压，可以得到