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电子与封装
第24卷。第7期总第255期
V01．24。No．7ELECTRONICS＆PACKAGING2024年7月
圆圆②⑩国④禽国
基于ATE与结构分析的RRAM芯片测试技术研究
奚留华，徐昊，张凯虹，武乾文，王一伟
(无锡中微腾芯电子有限公司，江苏无锡214035)
摘要：为了测试阻变存储器(RRAM)芯片，基于RRAM芯片的基本结构、接口定义、功能，分
析并总结了其性能、工作模式和芯片时序。通过公式计算与实测技术相结合的方法，测定了RRAM
芯片的容量。结果表明，基于结构分析的公式计算可依据RRAM存储单元的间距推导出RRAM芯片
的容量。利用自动测试系统对RRAM芯片进行功能验证。同时，设计了1款RRAM芯片耐久性测试
装置，全面评估了RRAM芯片的擦写性能。
关键词：RRAM芯片；ATE；测试算法；结构分析
中图分类号：TN407文献标志码：A文章编号：1681—1070(2024)07-070206
DOI：10．16257／j．cnki．1681．1070．2024．0082
中文引用格式：奚留华，徐吴，张凯虹，等．基于ATE与结构分析的RRAM芯片测试技术研究[J]．电子与封装，
2024，24(7)：070206．
RRAMbasedonATE
a1．Researchon
英文引用格式：XILiuhua，XUHao，ZHANGKaihong，etchiptestingtechnology
andstructural
analysis[J]．ElectronicsPackaging，2024，24(7)：070206．
ResearchonRRAMBasedonATEandStructural
ChipTestingTechnologyAnalysis
XIYiwei
Liuhua，XUHao，ZHANGQianwen，WANG
Kaihong，、W
CMCElectronics
(形眦iCo．，Ltd．，Wuxi
214035，China)
Abstract：Inordertotesttheresistive—variablemodeand
memory(RRAM)chip，theperformance，working
areandsummarizedonthebasicdefinitionandfunctionofthe
chiptiminganalyzedbasedstructure，interface
RRAMwithacmal
oftheRRAMismeasuredformulacalculation
chip．Thecapacitychipbycombining
measurementresultsshowthattheformulacalculationbasedon
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