半导体器件 机械和气候试验方法 第41部分：非易失性存储器可靠性试验方法.pdf

半导体器件机械和气候试验方法

第41部分：非易失性存储器可靠性试验方法

1范围

本文件系统地规定了非易失性存储器（以下简称器件）根据鉴定规范进行有效的耐久性、数据保持

和温度交叉试验的要求。JESD47中规定了耐久性和保持性合格规格（针对循环计数、持续时间、温度和

样本量)，或者使用基于知识的方法（如JESD94)制定。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

IEC60749-6半导体器件机械和气候试验方法第6部分：高温贮存（Semiconductor

devices-Mechanicalandclimatictestmethods-Part6:Storageathightemperature）

GB/T4937半导体器件机械和气候试验方法第23部分：高温工作寿命（Semiconductor

devices-Mechanicalandclimatictestmethods-Part23:Hightemperatureoperatinglife）

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

温度交叉试验cross-temperaturetest;CTT

在工作温度范围的相对端温度条件下进行数据读取验证。例如，在低温下进行编程时，在高温下正

确读取；在高温下进行编程时，在低温下正确读取。

3.2

温度交叉试验失效cross-temperaturetestfailure;CTTF

在工作温度范围内，交叉温度试验中在相对端温度条件下数据读取验证失败。

3.3

电可擦除可编程只读存储器electricallyerasableprogrammableread-onlymemory;EEPROM

可重复编程的只读存储器，其中每个地址的单元可以电擦除和电重复编程

注：本文件中术语“EEPROM”包括所有此类存储器，包括闪存EEPROM集成电路和集成电路中的嵌入式存储器，例如

可擦除可编程逻辑器件（EPLD）和微控制器。破坏性读取存储器，例如铁电存储器，其读操作会在存储器单元

中重新写入数据，超出了本文档涵盖范围。

3.4

1

数据图形datapattern

存储器中的多个1和0的组合及其物理或逻辑位置。

注：器件可以是每单元一位（SBC），即一个物理存储单元存储“0”或“1”，或每单元多位（MBC），即在一个单

元格中通常存储两位数据：“00”、“01”、“10”或“11”。在某些MBC存储器中，这两个位代表每个数据

字节中在逻辑上相邻的一对数据。例如，对每单元2位，一个包含二进制数字节将对应四进制

逻辑中具有数据2301的四个物理单元。在其他MBC存储器中，这两个位可以代表完全不同地址位置中的位。对

于SBC内存，物理棋盘模式由交替的0和1组成，每个0上下左右被1包围，每个1上下左右被0包围；逻辑棋盘模

式由数据字节AAH或55H组成，其中每个0在逻辑上与1相邻。在某些限定条件中，只有逻辑位置是已知的。

3.5

耐久性endurance

在满足应用规范条件下，可编程只读存储器可重复写入的能力。

注1：EEPROM器件规格通常要求在重新编程数据之前执行擦除步骤；在这种情况下，EEPROM器件编程/擦除周期包

括擦除和数据重新编程。直写存储器无需擦除，可将数据直接写入覆盖掉旧数据；在这种情况下，“编程/擦

除周期”只包含数据重新编程，不包含擦除。对于需要擦除步骤的SBC存储器，一个编程/擦除周期由对单元

编程（通常为“0”）和擦除（“1”）组成。对于需要擦除步骤的MBC存储器，一个编程/擦除周期由对多单

元进行编程（两比特单元编程数据为“0”、“1”或“2”）和擦除（两比特单元擦除数据为“3”）组成。

注2：耐久性循环是指在选定的数据图形下连续多次重新编程。没有一种数据图形