电磁兼容设计-第三章.pptVIP

电磁屏蔽效能的计算均匀材料特性阻抗：Zm=[j??/(?+j??)]^0.5?:材料的导磁率；?：角频率；?：材料的电导率；?：材料的介电常数。远区场自由空间波阻抗：Zw=E/H=(?0/?0)^0.5=120?=377?近区场波阻抗（电场为主）:Zwe=1/j??0r近区场波阻抗（磁场为主）Zwm=j??0r其中良导体则有吸收损耗反射损耗多次反射损耗02电磁屏蔽效能的解析法01电磁屏蔽效能的解析法吸收损耗、多次反射损耗与衰减常数和屏蔽体厚度的乘积相关。1、吸收损耗工程为了计算方便，将吸收损耗重新改写为式中，有屏蔽体的厚度，屏蔽体的相对磁导率，屏蔽体相对于铜的电导率。通过上式，可根据所要求的吸收衰减量求出屏蔽体的厚度，即

dB电磁屏蔽效能的解析法反射损耗由于自由空间的波阻抗比金属屏蔽体的波阻抗大得多，即反射损耗可简化为由于自由空间的波阻抗在不同类型的场源和场区中，其数值是不一样的.远区平面波的波阻抗为区电场的波阻抗为近区磁场的波阻抗为电磁屏蔽效能的解析法对于铜01对于任意的良导体有02金属屏蔽（良导体的）波阻抗电磁屏蔽效能的解析法电磁屏蔽效能的解析法由以上波阻抗，可得到(ⅰ)远场区的平面波反射损耗(ⅱ)近场区的电场反射损耗(ⅲ)近场区的磁场反射损耗dBdBdB通过上面表示的反射损耗，讨论影响表面反射损耗的因素。屏蔽材料：屏蔽材料的电导率越高，磁导率越低，反射损耗越大。场源特性：对于同一屏蔽材料，不同的场源特性有不同的反射损耗。通常，磁场反射损耗小于平面波反射损耗和电场反射损耗，即因此，从可靠性考虑，计算总的屏蔽效能时，应以磁场反射损耗代入计算。电磁屏蔽效能的解析法0102平面波的反射损耗与距离无关，电场的反射损耗与距离的平方成反比，磁场的反射损耗与距离的平方成正比。场源至屏蔽体的距离：平面波的反射损耗与频率的一次方成反比，磁场的反射损耗与频率的一次方成正比，电场的反射损耗与频率的三次方成反比。频率：电磁屏蔽效能的解析法当屏蔽体较薄或频率较低，屏蔽体吸收损耗很小，一般在小于10分贝时，多次反射损耗必须考虑。当屏蔽体较厚或频率较高，屏蔽体吸收损耗较大，一般在大于10分贝时，多次反射损耗可忽略不计；多次反射损耗电磁屏蔽效能的解析法接缝处的缝隙；通风散热孔；表头、数字显示窗；电源开关、操作按键；电源线、信号线安装孔。机箱常见的孔缝：孔缝电磁泄漏对于非实心型屏蔽体是在电气上存在不连续的屏蔽体，称为非实心型屏蔽体。比如：打过孔的机箱、接过缝的导体等在物理实现上具有不连续边界的导体。此时的屏蔽效能计算式为：SE=20lg|H0/H|非实心型屏蔽体效能的计算几种实用的屏蔽技术双层屏蔽（实心型屏蔽）如果要求屏蔽体有很高的屏蔽效能，采用双层屏蔽来实现。在双层屏蔽中，两屏蔽体相互平行，场源在第一屏蔽层左侧，屏蔽区在第二屏蔽层右侧。第一屏蔽层A第二屏蔽层STEP5STEP4STEP3STEP2STEP1薄膜屏蔽在屏蔽设备外利用喷涂、真空沉积、粘帖等技术包覆一层导电薄膜。设该导电薄膜的厚度为t，电磁波在导电薄膜中传播时的波长为?，若t?/4，则称这种屏蔽层为薄膜屏蔽。当t?/4时，屏蔽的效能与频率无关。当t?/4时，屏蔽效能将随频率升高而增加，因为当薄膜厚度增加时，屏蔽层的吸收损耗增加。几种实用的屏蔽技术(1)金属板缝隙的电磁泄漏缝隙的等效阻抗为电阻性元件和电容性元件并联组成。因存在电容性元件，接缝阻抗随频率减小，其屏蔽效能也随之减小。设缝隙长度为无限长，缝隙宽度为g，金属板的厚度为t。根据波导理论，缝隙中的波阻抗大于自由空间的波阻抗，在缝隙入口处由于波阻抗的突变，导致反射损耗，同时在缝隙内传输时也产生传输损耗。因此，缝隙的总损耗为反射损耗和传输损耗。金属板缝隙的电磁泄漏通常磁场泄漏的影响比电场泄漏的影响大.因此，着重研究减少磁场的泄漏.通过金属板上无限长缝隙泄漏的磁场为其中，分别为金属板前、后侧面的磁场强度。通过缝隙的吸收损耗为g为缝隙宽度(cm),t为金属板的厚度.A解析方法：在一定的边界条件下求解麦克斯韦方程。严格解，只能求解规则形状屏蔽体。B数值方法：任意规则形状屏蔽体。成本高，计算量大。C近似方法：在