2025年电工电子 模块五 半导体器件及特性试卷1 .pdfVIP

天行健，君子以自强不息。地势坤，君子以厚德载物。——《周易》

模块五半导体器件及特性试卷（一）

一、单项选择题（共17小题，每小题4分，共68分）

1、在本征半导体中加入()元素可形成N型半导体。

A、五价B、四价C、三价

2、在本征半导体中加入()元素可形成P型半导体。

A、五价B、四价C、三价

3、半导体内的载流子是（）。

A、空穴B、自由电子C、自由电子与空穴

4、半导体少数载流子产生的原因（）。

A、外电场B、掺杂C、热激发

5、当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，硅二极管()。

A、立即导通

B、到0、3V才开始导通

C、超过死区电压时才开始导通

6、把电动势为1、5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅

二极管的负极，则该管（）。

A、基本正常

B、将被击穿

C、将被烧坏

7、如图所示，二极管D为理想元件，U=5V，则电压U为（）。

SO

A、UB、U/2C、零

SS

8、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2、7V，则三个电

极分别是（）。

A、（B、C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）

9、晶体管在大电流工作时，随I的增加β值将（）。

c

A、增加B、下降C、不变

10、稳压二极管是利用PN结的（）。

A、单向导电性B、反偏截止特性C、反向击穿特性

11、只用万用表判别晶体管3个电极，最先判别出的应（）。

A、e极B、b极C、c极

其身正，不令而行；其身不正，虽令不从。——《论语》

12、工作在放大状态的晶体管，发射结与集电结偏置状态应满足（）。

A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结与集电结均正

偏

13、晶体管处于截止状态时，发射结与集电结偏置状态应满足（）。

A、发射结与集电结均正偏B、发射结与集电结均反偏C、发射结反偏，集电结正偏

14、晶体管处于饱和状态时，发射结与集电结偏置状态应满足（）。

A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结与集电结均反偏C、发射结与集电结均正偏



15、晶体管的电流放大系数是指