数字X线摄影系统CCD探测器医疗设备应用技术专业年月课件.pptx

【医疗设备应用技术专业】数字X线摄影系统

CCD探测器2018年6月

CCD发展史1969年，由美国的贝尔研究室所开发出来的。同年，日本的SONY公司也开始研究CCD1973年1月，SONY中研所发表第一个以96个图素并以线性感知的二次元影像传感器〝8H*8V(64图素)FT方式三相CCD〞1974年6月，彩色影像用的FT方式32H*64VCCD研究成功了1976年8月，完成实验室第一支摄影机的开发1980年，SONY发表全世界第一个商品化的CCD摄影机(编号XC-1)1981年，发表了28万个图素的CCD(电子式稳定摄影机MABIKA)1983年，19万个图素的IT方式CCD量产成功1984年，发表了低污点高分辨率的CCD1987年，1/2inch25万图素的CCD，在市面上销售同年，发表2/3inch38万图素的CCD，且在市面上销售

CCD发展史光学系统CCD图像处理

电荷耦合器件的结构和工作原理基本结构尺寸——4：3/16：9/16：10在半导体硅平面上光敏元按线阵或面阵有规则地排列CMOS英文全名ComplementaryMetal-OxideSemiconductor，互补性氧化金属半导体电荷耦合器件是在半导体硅片上制作成百上千（万）个光敏元MOS（金属—氧化物—半导体）光敏元阵列

电荷耦合器件的结构和工作原理CCD是由规则排列的金属—氧化物—半导体（MetalOxideSemiconductor,MOS）电容阵列组成CCD单元与线阵列结构的示意图b)CCD线阵列a)CCD单元基本结构MOS电容SemiconductorOxideMetal

电荷耦合器件的结构和工作原理基本结构MOS电容在P型或N型单晶硅衬底上用氧化办法生成一层厚度约为100～1500埃的SiO2绝缘层MOS电容器的形成方法在P型或N型单晶硅衬底上用氧化办法生成一层厚度约为100～1500埃的SiO2绝缘层再在SiO2表面按一定层次蒸镀一金属电极或多晶硅电极在衬底和电极间加上一个偏置电压（栅极电压）即形成了一个MOS电容器

电荷耦合器件的结构和工作原理电荷耦合器件的工作原理光信息电脉冲脉冲幅度的高低反映该光敏元受光照的强弱输出脉冲的顺序可以反映一个光敏元的位置完成图像传感脉冲只反映一个光敏元的受光情况CCD

电荷耦合器件的结构和工作原理电荷耦合器件的工作原理CCD基本工作原理信号电荷的产生信号电荷的存储信号电荷的转移信号电荷的检测CCD基本功能存储与转移信息电荷特点以电荷作为信号

电荷耦合器件的结构和工作原理电荷耦合器件的工作原理信号电荷的产生导带禁带价带代表光线代表电子光电导效应

电荷耦合器件的结构和工作原理电荷耦合器件的工作原理信号电荷的产生金属电极氧化物半导体e-e-e-e-e-e-e-光生电子入射光信号电荷的产生（示意图）MOS电容器

电荷耦合器件的结构和工作原理电荷耦合器件的工作原理信号电荷的存储当金属电极上加正电压时，由于电场作用，电极下P型硅区里空穴被排斥入地成耗尽区有光线入射到硅片上时，光子作用下产生电子—空穴对，空穴被电场作用排斥出耗尽区，而电子被附近势阱（俘获）对电子而言，是一势能很低的区域，称“势阱”

电荷耦合器件的结构和工作原理电荷耦合器件的工作原理电极上所加的电压越高，势阱越深，电荷留在阱内量越多只要电压存在，电子就能储存在势阱里电子就能储存在势阱里。由于绝缘氧化物层使得电子不能穿过而到达电极，因此存贮在势阱里的电子形成了电荷包其电荷量的多少与光照强度及照射时间成正比，于是所有电极下的电荷包就组成了与景物相对应的电荷像信号电荷的存储

信号电荷的产生（示意图）电荷耦合器件的结构和工作原理电荷耦合器件的工作原理UGUth时UGUth时e-e-势阱+UGe-e-e-e-e-e-+Uth入射光MOS电容器e-e-势阱入射光+UGe-e-e-e-e-e-+UthMOS电容器信号电荷的存储

电荷耦合器件的结构和工作原理电荷耦合器件的工作原理有一个光电转换装置把入射到每一个感光像素上的光子转化为电荷CCD的工作过程信号电荷的存储

电荷耦合器件的结构和工作原理电荷耦合器件的工作原理这些电荷可以被储存起来CCD的工作过程信号电荷的存储

电荷耦合器件的结构和工作原理电荷耦合器件的工作原理这一过程存在着以下问题当一个像素聚集过多的电荷后，就会出现电荷溢出溢出的电荷会跑到相临的像素势阱里去要避免这种情况发生的方法A把桶做大些B减少测量时间C把满的水倒出一些D做个导流管，让溢出的水流到地上去，不要流到其他桶里这样电量就不能如实反映原物信号电荷的存储

电荷耦合器件的结构和工作原理当完成对光敏元阵列的扫描后CCD将光电荷从光敏区域转移至屏蔽存储区