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志不强者智不达,言不信者行不果。——墨翟
半导体器件的欧姆接触优化考核试卷
考生姓名:________________答题日期:________________得分:_________________判
卷人:_________________
一、单项选择题(本题共20小题,每小题1分,共20分,在每小题给出的四个选项中,只
有一项是符合题目要求的)
1.欧姆接触主要用于以下哪种半导体器件?()
A.二极管
B.三极管
C.场效应晶体管
D.集成电路
2.下列哪种材料最适合用作硅器件的欧姆接触金属?()
A.铝
B.铅
C.金
D.硅
3.欧姆接触形成的本质是:()
A.金属与半导体的电荷转移
B.金属与半导体之间的化学键结合
C.金属与半导体之间的热力学平衡
D.金属与半导体之间的扩散
4.在欧姆接触中,理想情况下接触电阻率应该是:()
A.高于半导体电阻率
B.低于半导体电阻率
C.等于半导体电阻率
D.无关半导体电阻率
5.以下哪种方法可以优化欧姆接触的性能?()
A.提高掺杂浓度
B.降低掺杂浓度
C.增加接触面积
D.减小接触面积
6.欧姆接触的接触面积对接触电阻的影响是:()
A.面积越大,接触电阻越小
B.面积越小,接触电阻越小
C.面积与接触电阻无关
D.面积通过改变界面态影响接触电阻
7.在半导体器件中,欧姆接触的热处理过程主要是为了:()
A.改善金属与半导体之间的浸润性
B.减少表面缺陷
C.促进合金形成
D.降低界面复合
8.对于n型硅半导体,以下哪种金属与硅形成的欧姆接触电阻最小?()
A.铝
B.镍
不飞则已,一飞冲天;不鸣则已,一鸣惊人。——《韩非子》
C.铅
D.钨
9.下列哪种因素不会影响欧姆接触的性能?()
A.接触金属的功函数
B.半导体的掺杂类型
C.接触面积
D.环境湿度
10.在欧姆接触的制作过程中,以下哪种处理方法可以减少表面复合?()
A.光刻
B.离子注入
C.化学气相沉积
D.热处理
11.欧姆接触的接触电阻与以下哪项因素无关?()
A.接触金属的种类
B.接触面积
C.半导体的掺杂浓度
D.环境温度
12.优化欧姆接触的方法中,以下哪项是错误的?()
A.选择合适的金属
B.控制热处理温度和时间
C.增加接触面积
D.提高半导体表面粗糙度
13.以下哪种金属通常用于形成Schottky接触而非欧姆接触?()
A.铝
B.镍
C.铂
D.钛
14.欧姆接触中的主要载流子是:()
A.电子
B.空穴
C.离子
D.电子和空穴
15.以下哪种方法通
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