2025年台阶单片式光谱芯片制备方法 .pdfVIP

老当益壮，宁移白首之心；穷且益坚，不坠青云之志。——唐·王勃

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CNA

202520251

(43)申请公布日2025.04.17

(21)申请号CN202520252025.8

(22)申请日2019.11.28

(71)申请人天津津航技术物理研究所

地址300308天津市东丽区空港经济区中环西路58号

(72)发明人张晨刘舒扬赵安娜吕津玮王天鹤刘建辉贾晓东

(74)专利代理机构中国兵器工业集团公司专利中心

代理人周恒

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

台阶单片式光谱芯片制备方法

(57)摘要

本发明属于光谱成像技术领域，具

体涉及一种台阶单片式光谱芯片制备方

法。与现有技术相比较，本发明在多层堆

叠分布式布拉格镜结构模拟设计和制造的

基础上，采用CMOS工艺兼容的材料，以

高反射率的布拉格镜为FP腔镜，在CMOS

图像传感器上直接设计生长FP分光薄膜结

构，形成单芯片单谱段光谱成像微系统；

天将降大任于斯人也，必先苦其心志，劳其筋骨，饿其体肤，空乏其身，行拂乱其所为。——《孟子》

前期主要是目标是完成单谱段和双谱段的

光谱成像芯片，在此基础上，逐渐实现多

谱段台阶式的光谱成像芯片。本发明提高

了台阶式光谱芯片制备的制造效率，节省

了加工时间，有效的降低了工艺中掩膜和

光刻的工艺次数，降低了光谱芯片的制造

成本，使之更加具有竞争力。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

2023-10-27授权发明专利权授予

先天下之忧而忧，后天下之乐而乐。——范仲淹

权利要求说明书

1.一种台阶单片式光谱芯片制备方法,其特征在于,所述方法为了制造1*2双层台阶

式的单芯片光谱成像传感器芯片,所述方法包括掩膜版设计与制造流程和光刻工艺

流程;

其中,掩膜版需要根据1*2双台阶结构设计,结构为图像传感器纵向像素一半区域为

一层台阶,另外一半纵向像素为另外一层台阶,整体传感器呈现双层台阶的结构;设计

过程中,首先,进行双台阶FP腔膜系的设计,设定好双台阶各自透过光的中心波长,根

据中心波长设计两个台阶的各自的膜系结构,进行模拟和测试;根据双台阶FP腔结

构设计掩膜版,然后制备加工掩膜版;

其次,加入CMOS图像传感器晶圆,根据双台阶FP腔的膜系设计要求,在该晶圆上利

用半导体光刻工艺技术完成FP腔滤波器的生长与制备;随后,进行芯片的切割与封

装,对芯片进行光学与电学参数的测试与验证;以该芯片为核心,进行双台阶单芯片光

谱相机的集成。最后,进行该相机的测试及验证