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等离子刻蚀培训射频功率反射功率特气流量真空压力DCAB主程序的主要步骤一、主程序的主要步骤1、Pumpdown这步主要是预抽，抽掉一些杂质气体。这时压力降到10，000mt，大约是十分之一个大气压。蝶阀处在位置模式，固定开合度，使压力快速降到设定值。2、Flowgas往反应室充入反应气体。压力进一步降到5，000mt。蝶阀仍处在位置模式。3、Servo此步主要起稳压的作用，让反应气体均匀充满整个反应室。压力进一步降到230mt，达到辉光放电所需的真空条件。蝶阀处在压力模式，通过控制蝶阀的开合度，精确控制真空压力大小。开启射频源，产生等离子体，反应开始。开启旋转体，让硅片每边都有均等机会接触到等离子体产生源蝶阀处在压力模式。持续地充入反应气体。RF关闭射频源，停止充入反应气体，反应结束。抽掉生成气体及未反应的滞留气体。蝶阀重回位置模式。Pumpdown充入N2，吹扫边缘位置粉尘等沉积物，将P2O5等带离表面。同时，进一步将残留的有害气体清除干净。充入N2还有冷却和回压的作用。压力回升到10，000mt以上，平衡舱门两边压降。Purge程序建立方法二、程序建立方法主程序由子程序组成，子程序内容、数量和排序位置可自由设定。前面所讲的6步骤即为6个子程序，由厂家原始给定的程序进行改动优化而来。主程序建立方法：第一步：选择退出自动运行界面第二步：在界面右侧点击进入PROCESS（程序）第三步：点击NEW(新建)，在PROCESSNAME(程序名称)输入程序名，如TEST-5。第四步：在左侧Stepsavalible(可用子程序)选择一个子程序，点击Add(添加)到右侧的Stepsonprocess(点选子程序)。可以通过添加、移除、上移、下移调整子程序。第五步：最后点击SAVE（储存），主程序建立完成。选择退出自动运行界面点击NEW(新建)，在STEPNAME(子程序)输入程序名，如RF-5。在界面右侧点击进入STEP（子程序）在当前界面输入各项参数。以第4步RF-5为例，当前步实现等离子体的产生及刻蚀反应，要开启射频源，功率设为850W；为实现压力的精确控制，在压力控制器处选择presuremode(位置模式)，所设定压力为230mt；开启旋转体，速度设为8转\分；作用时间设为1200s；持续充入反应气体，流量设定为O240sccm，CF4200sccm。最后点击SAVE（储存），子程序建立完成。子程序建立方法：手动模式三、手动模式正常情况下，机器工作时处在自动模式。当出现异常状况，可通过手动模式退出自动运行。因此相应的操作需要了解。手动运行刻蚀方法：第一步：开启V00、V01阀门第二步：压力控制器选择在位置模式，启动真空泵。压力控制器处输入数值10，000，点击ON；当压力稳定在10，000后，再输入数值5，000，点击OFF，再点ON。第三步：在气压计的腔室状态显示真空后，在V04、V05阀门，输入O2、CF4数值，点击ON。第四步：在RF(射频产生器)输入数值。第五步：调整到压力模式，输入设定真空压力。点击OFF，再点击ON。第六步：压力达到设定值后，打开射频开关。第七步：打开旋转体，输入旋转速度。开始计时。在压控器处输入数值10，000，点击OFF，再点ON。4在腔室压力达到10，000后，关掉真空泵开关，关闭V00阀门。5关闭射频源。1关闭GAS(气体)开关，关闭V04、V05阀门。2关闭旋转开关。3开启V02阀门进行吹扫。当腔室状态显示为大气时，开启舱门。6手动退出刻蚀方法：四、常见异常情况及处理刻蚀不透设备问题。射频功率、气体流量、真空压力的波动及旋转体不转都可能导致刻蚀不透。片源问题。前道工序出现扩散问题，导致片源表面氧化层太厚，也会产生刻蚀不透的现象。动力供应问题。动力供应的反应气体纯度不够，导致反应不完全。解决办法：出现设备、动力问题，与相应的部门协调解决问题。片子需要重刻，并观察重刻效果；出现片源问题，可以多刻蚀几次。如果还未能刻透，当返工片处理。