2025年半导体物理试题及答案 .pdfVIP

博观而约取，厚积而薄发。——苏轼

半导体物理试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间，这是由于（）。

A.半导体的原子结构

B.半导体的电子结构

C.半导体的能带结构

D.半导体的晶格结构

答案：C

2.在半导体中，电子从价带跃迁到导带需要（）。

A.吸收能量

B.释放能量

C.吸收光子

D.释放光子

答案：A

3.PN结形成的基础是（）。

A.杂质掺杂

B.温度变化

C.压力变化

D.磁场变化

答案：A

4.半导体器件中的载流子主要是指（）。

A.电子

B.空穴

C.电子和空穴

D.光子

吾日三省乎吾身。为人谋而不忠乎?与朋友交而不信乎?传不习乎?——《论语》

答案：C

5.半导体的掺杂浓度越高，其导电性能（）。

A.越好

B.越差

C.不变

D.先变好再变差

答案：A

二、填空题（每题2分，共20分）

1.半导体的导电性能可以通过改变其________来调节。

答案：掺杂浓度

2.半导体的能带结构中，价带和导带之间的能量差称为________。

答案：带隙

3.在半导体中，电子和空穴的复合现象称为________。

答案：复合

4.半导体器件中的二极管具有单向导电性，其导通方向是从________

到________。

答案：阳极阴极

5.半导体的PN结在外加正向电压时，其内部电场会________。

答案：减弱

三、简答题（每题10分，共30分）

1.简述半导体的掺杂原理。

答案：半导体的掺杂原理是指通过向半导体材料中掺入少量的杂质元

素，改变其电子结构，从而调节其导电性能。掺入的杂质元素可以是

施主杂质（如磷、砷等），它们会向半导体中引入额外的电子，形成N

英雄者，胸怀大志，腹有良策，有包藏宇宙之机，吞吐天地之志者也。——《三国演义》

型半导体；也可以是受主杂质（如硼、铝等），它们会在半导体中形

成空穴，形成P型半导体。

2.描述PN结的工作原理。

答案：PN结是由P型半导体和N型半导体结合而成的结构。在PN结中，

P型半导体的空穴会向N型半导体扩散，而N型半导体的电子会向P型

半导体扩散。由于扩散作用，会在PN结的交界面形成一个内建电场，

该电场会阻止更多的载流子通过PN结。当外加电压与内建电场方向相

反时，PN结导通；当外加电压与内建电场方向相同时，PN结截止。

3.半导体器件中，晶体管的放大作用是如何实现的？

答案：晶体管的放大作用是通过控制基极电流来实现的。在双极型晶

体管（BJT）中，基极电流的变化会导致集电极电流的较大变化，从而

实现放大作用。在金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）中，栅

极电压的变化会改变沟道的宽度，从而改变漏极电流，实现放大作用。

四、计算题（每题10分，共30分）

1.已知某半导体的带隙为1.1eV，室温下电子的热运动能量为kT，其

中k为玻尔兹曼常数，T为温度（以开尔文为单位）。计算室温下电子

需要吸收的能量才能