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半导体器件的介质击穿特性考核试卷
考生姓名：答题日期：得分：判卷人：
本次考核旨在评估考生对半导体器件介质击穿特性的理解程度，包括基本概念、理论分析、实验方法及其在实际应用中的体现。
一、单项选择题（本题共30小题，每小题0.5分，共15分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）
1.下列哪种材料常用于制作半导体器件的绝缘层？（）
A.硅
B.锗
C.氧化硅
D.硅橡胶
2.介质击穿是指介质在电场作用下，其绝缘性能突然下降的现象，这种现象称为（）。
A.闪络
B.击穿
C.导通
D.烧毁
3.下列哪个
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