崛起的CMOS工艺技术.pptx

第一讲：崛起的CMOS工艺技术

崛起的CMOS工艺技术双极型工艺技术PMOS工艺技术铝栅套刻不齐问题NMOS工艺技术多晶硅栅工艺技术CMOS工艺技术CMOS闩锁效应SOSCMOS集成电路

双极型工艺技术1947年，第一只点接触晶体管在贝尔实验室诞生。1951年贝尔实验室制造出第一只锗结型晶体管，1956年德州仪器制造出第一只硅结型晶体管。1970年硅平面工艺制程技术成熟，双极型工艺集成电路开始大批量生产。?双极型工艺技术的优点：利用pn结隔离，制造流程简单，制造成本低和成品率高具有高速度、高跨导、低噪声、高模拟精度和强电流驱动能力等方面的优势双极型工艺技术的缺点：集成度低（其纵向结深尺寸无法按比例缩小）功耗大（限制了它在超大规模集成电路的应用）最低工作电压2V左右

双极型工艺技术双极型工艺集成电路应用：通常用于电流放大型电路、功率放大型电路和高速电路。常见的双极型工艺集成电路：TTL(TransistorTransistorLogic晶体管-晶体管逻辑)电路。STTL（SchottkyTransistorTransistorLogic肖特基晶体管-晶体管逻辑）电路。I2L（IntegratedInjectionLogic集成注入逻辑）电路。早期的集成电路基本是双极型工艺集成电路，特别是模拟芯片领域；20世纪70年代NMOS和CMOS工艺集成电路逐步在逻辑运算领域取代双极型工艺集成电路，但是模拟芯片领域依然是双极型工艺集成电路占主导。

PMOS工艺技术PMOS工艺技术出现在20世纪60年代。早期的PMOS栅极是金属铝栅。MOSFET的核心是金属-氧化物-半导体，它们组成电容，称为金属氧化物半导体场效应管。PMOS的源和漏分别在栅两边，通过栅压控制沟道开启和关闭来控制器件。（也称门器件）PMOS工艺技术遇到的问题：铝栅不能承受高温退火工艺==》源漏有源区与制造铝栅需要两次光刻步骤==》沟道区存在套刻不齐的问题；为了解决铝栅套刻不齐问题==》采用铝栅重叠设计==》造成铝栅与源漏有源区产生重叠==》导致栅极寄生电容Cgs和Cgd增大==》增加器件的尺寸==》降低集成度。

铝栅套刻不齐问题（a）光刻（b）显影（c）刻蚀PMOS源漏离子扩散工艺PMOS铝栅工艺（a）铝互连和铝栅光刻（b）显影（c）铝互连和铝栅刻蚀（a）源漏有源区光刻（b）显影（c）源漏有源区刻蚀（c）源漏离子扩散

PMOS工艺技术PMOS工艺技术的优点：价格便宜（光刻步骤少）；PMOS工艺技术的缺点：集成度低；功耗高；速度慢；驱动能力差；PMOS工艺集成电路应用：时钟控制电路（要求低）。PMOS时钟集成电路

NMOS工艺技术NMOS工艺技术出现在20世纪70年代初期。早期的NMOS栅极也是金属铝栅。1968年出现多晶硅栅（Polysilicon）（熔点1410℃）工艺技术，解决了源漏有源区与栅套刻不齐的问题。NMOS工艺技术的优点：集成度高价格便宜（光刻步骤少）；NMOS工艺技术的缺点：驱动能力中；功耗大（限制了它在超大规模集成电路的应用）。(a)NMOS反相器(b)NMOS或非门(c)NMOS与非门

多晶硅栅工艺技术（a）多晶硅栅光刻（b）显影（c）多晶硅栅刻蚀多晶硅栅工艺技术NMOS源漏离子扩散工艺（a）源漏扩散光刻（b）显影（c）源漏扩散刻蚀（d）源漏扩散离子扩散

CMOS工艺技术1963年，飞兆（也称仙童）半导体公司研发实验室的工程师提出CMOS工艺技术。1974年，美国无线电公司公司推出RCA1802，业界首次将CMOS工艺技术用于制造微处理器芯片。CMOS是互补金属氧化物半导体，它是把NMOS和PMOS制造在同一个芯片上组成集成电路，利用互补对称电路来形成逻辑电路。CMOS工艺技术的缺点：闩锁效应驱动能力中

RpRnVDDVSSPNPNPNIn流过Rn引起压降In*RnRn压降导致PNP发