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第五讲：STI隔离技术;STI隔离技术的概念
STI隔离技术工艺流程
穿通问题
寄生场效应管
场区离子注入工艺流程
STI隔离技术存在的问题
LOD效应的概念
改善LOD效应的方法
;STI隔离技术的概念;STI隔离技术的概念;STI隔离技术工艺流程;STI隔离技术工艺流程;STI隔离技术工艺流程;STI隔离技术工艺流程;STI隔离技术工艺流程;STI隔离技术工艺流程;穿通问题：与LOCOS隔离技术类似，NMOS的漏端与NW之间也会发生穿通问题，PMOS漏端与PW也会有穿通问题。
影响穿通的因素：偏置电压、NW和PW的掺杂浓度。
改善穿通的方法：增大NMOS的漏端n型有源区与NW之间的距离。为了避免器件间形成漏电了，NMOS的漏端n型有源区与NW之间的距离有一个最小的安全宽度（称为designrule）。芯片工作工作电压越大，designrule最小值也越大。
;寄生场效应管：与LOCOS隔离技术类似，当金属引线从NMOS的漏端与NW之间的PW上方跨过时，会形成寄生的场效应晶体管NMOS，NMOS漏端n型有源区是源端，NW是漏端，金属互连线是栅极。
影响寄生场效应管的因素：
芯片内部金属连线的电压足够大；（例如HV-CMOS和BCD工艺集成电路）
STI和ILD的厚度。
PW掺杂浓度。
改善寄生场效应管的方案：在生长场区氧化层之前，要增加一道场区离子注入工艺流程，从而提高寄生场效应晶体管的阈值电压。;场区离子注入工艺流程;场区离子注入工艺流程;STI隔离技术存在的问题;LOD效应的概念
改善LOD效应的方法
;LOD效应的概念;改善LOD效应的方法;谢谢
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