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当辐射在探测器上产生的信号电压正好等于探测器本身的噪声电压值（即信号噪声比为1)时，所需投射到探测器上的辐射功率称作为探测器的噪声等效功率.它标志探测器所能探测的最小功率;有的使用噪声等效温差（NEDT）作为表征该方面的性能参数。一般情况下，噪声等效温差（NEDT）越小越好。噪声等效功率(NFP)取为NEP的倒数，以D表示;它表示每瓦的辐射功率所能获得的信号噪声电压比;一般用归一化探测率--D*,它是当探测器的敏感元具有单位面积，放大器的测量带宽为1Hz时，单位辐射功率所能获得的信号噪声电压比。探测率5）探测器的光谱响应响应度随入射辐射波长的变化，称为探测器的光谱谱响应。相对响应值λA图5探测器的光谱响应B01探测器内阻的问题；02探测器的接收面积；03探测器的响应度与辐射强度之间是否是线性关系；04探测器接收面上响应度是否均匀。探测器的使用还要注意以下几点：1第一代红外探测器——单元和线阵列探测器2第二代红外探测器——TDI和凝视IRFPA探测器超高集成度探测器像元的大型焦平面阵列短波IRFPA：HgCdTe阵列，InGaAs阵列；中波IRFPA：PtSi阵列，HgCdTe阵列，InSb阵列；长波IRFPA：HgCdTe阵列，GaAlAs/GaAs阵列，GeSi／Si异质结构，非致冷IRFPA；4红外探测器更新换代2.高性能的IRFPA：波段产家单元材料或型号D*量子效率NEDT光响应不均匀性短波美国新泽西州传感器无限公司128×128和320×240元InGaAs1013cmHz1/2W-1(室温）1014cmcmHz1/2W-1（250K）（1.3-.6μm）90％洛克威尔国际科学中心1024×1024元PACE-l型65.4％4.3％洛克威尔国际科学中心2048×2048元HAWAII-2型65.4％4.3％中波三菱公司801×512元PtSi0.076K圣巴巴拉研究中心640×512元InSb20mK圣巴巴拉研究中心1024×1024元85％(0.9μm-5μm)洛克威尔国际科学中元640x480PGM600-00368％0.013K长波法国LETI-GEA256×256元Grenoble1.6-1.64×1011cmHz1/2W-170％~75％，13mK日本NEC公司用256×256元HgCdTe60％0.1K3.高密度小像元尺寸的IRFPA阵列材料像元大小产品或产家PtSi20×20μm2日本柯达KIR-3900型1968×1968元17×17μm2三菱1040×1040元HgCdTe18×18μm2洛克威尔科学中HAWAII-2型2048×2048元28×28μm2洛克希德马丁红外摄像公司的640×480元GaAIAs/GaAs25×25μm2雷声和喷气式推进实验室4、多色IRFPA波段陈列材料产家8-9μm和14~15μm640×486元GaAs/A1GaAs美国加州理工学院喷气推进实验室空间微电子中心、雷声先进红外中心和空军研究实验室11.2μm和16.2μm256×256元GaAs/GaAlAs雷声、美国陆军研究、NASAGooddard航天飞行中心、洛克威尔科学中心图6.焦平面阵列元数变化趋势和2010年前的预测4.3第三代高性能焦平面阵列(UFPA)红外探测器第三代IRFPA的性能和技术要求更高：焦平面上探测器像元集成度为≥106元，阵列格式≥1000×1000，至少双色工作；高的工作温度，以便实现低功耗和小型轻量化的系统应用；非致冷IRFPA传感器的性能达到或接近目前第二代致冷工作红外焦平面阵列传感器的水平；必须是极低成本的微型传感器，甚至是一次性应用的传感器。表2第三代IRFPA传感器的特点高性能多色致冷传感器高性能多色非致冷传感器非致冷微型传感器焦平面阵列格式1000×1000、1000×20002000×2000、2096×40961000×1000160×120320×240像元尺寸18μm×18μm1mm×1mm2mm×2mm工作波段双色或多色8×12μm封装真空高真空中等真空中等阵空制冷器机械或热电温差致冷器非致冷非致冷工作温度120K~180K室温，无需温度稳定室温，无需温度稳定目标最大作用距离最大杂波抑制低成本，低功耗，中等性能一次性作用，10mW功率图7第二代和第三代I