网站大量收购独家精品文档,联系QQ:2885784924

YJ扬杰IGBT单管 DGW50N120CTL1A规格说明书.pdf

YJ扬杰IGBT单管 DGW50N120CTL1A规格说明书.pdf

  1. 1、本文档共11页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多

IGBTDiscrete

VcE1200

名下

C四VcESADIc=S0A1.SS

G

Applications

Circuit.FrequencyConverters

.ACandDCservodriveamplifier

C.Uninterruptiblepowersupply

Features

,Highbreakdownvoltageto1200Vforimproved

reliability

G-Maximumjunctiontemperature175C

Positivetemperaturecoefficient

E。Includingfastsoftrecoveryanti-parallelFWD

.Highshortcircuitcapability(10us)

MaximumRatings

ParameterSymbolValue人名

Collector-EmitterBreakdownVoltage人1200

DCCollectorCurrentblimitedbyTinax

Tc=25扎Te80人

[喜人50

DiodeForwardCurrent,limitedbyTimax

Tec=25气二80A

[名人50

ContinuousGate-EmitterVoltasgeVGE士20

TransientGate-EmitterVoltage了”4了30

(pp委10hs,D0.010)

TurmoffSafeOperatingAreaVcE1200V,100

TK150C

PulsedCollectorCurrentVarp=15V,

tplimitedbyThaax二100人

DiodePulsedCurrenttplimitedbyTimaxJIFpuk100A

ShortCircuitWithstandTime,

Tse10hs

VE=1$V,Vcc=600V,VcEM委1200V

PowerDissipation,Tj=175S,Tc=25S民Peer468W

S-M529D

Rev.1.1,1-Sep-24

IAADGWSON120CTLIA靖,

OperatingJunctionTemperature再-40...+175

StorageTemperatureTs-35...+150

SolderingTemperature,wavesoldering1.6mml260

(0.063in.)fromcasefor10s

ElectricalCharacteristicsoftheIGCBT(TF

您可能关注的文档

文档评论(0)

R的文档库 + 关注
实名认证
内容提供者

相近型号说明书可通用,具体看说明书包括型号

版权声明书
用户编号:7060103150000024

1亿VIP精品文档

相关文档