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探索半导体器件物理：精美课件引领学习新风尚;课程简介：半导体器件物理的重要性;课件设计理念：化繁为简，深入浅出;第一章：半导体材料基础;晶体结构：硅、锗等半导体的晶格结构;能带理论：价带、导带、禁带的概念;载流子统计：费米-狄拉克分布;本征半导体：本征载流子浓度的推导;掺杂半导体：N型和P型半导体的形成;杂质能级：施主和受主能级;载流子迁移率和扩散：影响因素分析;第二章：PN结;PN结的形成：空间电荷区和内建电场;理想PN结的电流-电压特性;PN结的反向击穿：雪崩击穿和齐纳击穿;PN结电容：势垒电容和扩散电容;PN结的应用：整流二极管、变容二极管;第三章：双极型晶体管(BJT);BJT的结构和工作原理：NPN和PNP型;BJT的电流放大效应：共射极、共基极、共集电极;Ebers-Moll模型：BJT的数学描述;BJT的偏置电路：稳定工作点的重要性;BJT的应用：放大器、开关;第四章：场效应晶体管(FET);JFET的结构和工作原理;MOSFET的结构和工作原理：增强型和耗尽型;MOSFET的电流-电压特性：线性区、饱和区;MOSFET的参数：跨导、输出电阻;CMOS电路：互补金属氧化物半导体;FET的应用：放大器、开关、数字电路;第五章：MOS电容;MOS电容的结构：金属-氧化物-半导体;MOS电容的电容-电压特性：积累区、耗尽区、反型区;表面电势和空间电荷;高频和低频C-V曲线;MOS电容的应用：电荷耦合器件(CCD);第六章：半导体器件的制造工艺;硅片的制备：晶体生长、切割、研磨;光刻：图形转移;刻蚀：湿法刻蚀和干法刻蚀;掺杂：扩散和离子注入;薄膜生长：CVD、PVD;金属化：溅射、蒸镀;封装：保护器件，连接引脚;第七章：新型半导体器件;高电子迁移率晶体管(HEMT);碳纳米管晶体管(CNTFET);忆阻器(Memristor);自旋电子器件(Spintronics);第八章：半导体器件的可靠性;热载流子效应(HotCarrierEffect);电迁移(Electromigration);时间相关介质击穿(TDDB);静电放电(ESD);课件特色：动画演示器件工作原理;课件特色：互动仿真，加深理解;;学习资源推荐：相关书籍和网站;总结与展望：半导体器件物理的未来;感谢聆听，欢迎提问