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2020年半导体物理真题精选--第1页
2020年半导体物理真题精选
[填空题]
1试分别说明：1）在一定的温度下，对本征材料而言，材料的禁带宽度越
窄，载流子浓度越高；2）对一定的材料，当掺杂浓度一定时，温度越高，载
流子浓度越高。
参考答案：1）在一定的温度下，对本征材料而言，材料的禁带宽度越窄，则跃
迁所需的能量越小，所以受激发的载流子浓度随着禁带宽度的变窄而增加。由
公式
[填空题]
22
2掺有浓度为每立方米为10硼原子的硅材料，请计算300K。
参考答案：
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2020年半导体物理真题精选--第1页
2020年半导体物理真题精选--第2页
[填空题]
-9
30.1kg的Ge单晶，掺有3.2*10kg的Sb，设杂质全部电离，试求该材料的电
23
阻率μ=0.38m/（V.S），Ge的单晶密度为5.32g/cm，Sb原子量为121.8。
n
参考答案：
[填空题]
-2
4室温下，p型半导体中的电子寿命为ι=350us，电子的迁移率u=3600cm/
n
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2020年半导体物理真题精选--第3页
（V·s）。试求电子的扩散长度。
参考答案：根据爱因斯坦关系：
[填空题]
5已知室温（300K）下硅的禁带宽度E≈1.12eV，价带顶空穴和导带底电子的
g
**193
有效质量之比m/m≈0.55，导带的有效状态密度N≈2.8*10/cm，
pnC
k≈0.026eV。试计算：1）室温（300K）下，纯净单晶硅的本征费米能级E；
Ti
163
2）室温（300K）下，掺磷浓度为10/cm的n型单晶硅的费米能级E。
F
参考答案：1）纯净单晶硅的本征费米能级E.
i
[填空题]
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