集成电路中的晶体管及其寄生效应.pptVIP

一般集成二极管

5.E开路VF=VBCFBV=BVBCCj=CcCp=Cs有寄生PNP管P-SubN–-epiP+P+PN+N+EBC一般集成二极管

6.单独BC结VF=VBCFBV=BVBCCj=CcCp=Cs有寄生PNP管P-SubN–-epiP+P+PN+BC一般集成二极管

7.单独SC结VF=VSCFBV=BVSCCj=CsCp=0无寄生PNP管N–-epiP+P+N+CP-Sub表2.2六种集成二极管的特性比较最重要的两类集成二极管*01BC短接二极管，因为没有寄生PNP效应，且存储时间最短，正向压降低，常用于DTL电路的输入端门二极管，还用于输入端的保护二极管；02单独BC结二极管，因为不需要发射结，所以面积可以做得很小，结电容小，开关时间短，正向压降也低，且击穿电压高。B-C短接*VF=VBEFBV=BVBECj=CeCp=Cc无寄生PNP管效应P-SubN–-epiP+P+PN+N+EBC单独BC结*VF=VBCFBV=BVBCCj=CcCp=Cs有寄生PNP管P-SubN–-epiP+P+PN+BC2.5.2集成齐纳二极管*1.集成齐纳二极管集成电路巾的齐纳二极管一般是反向工作的BC短接二极管，因此与制作一般NPN管的工艺兼容。利用一般工艺可获得的Vz＝BVEBO约为6~9V。这种结构的齐纳二极管有以下一些缺点：具有较大的正温度系数，热稳定性差；内阻较大，因而其两端的电压Vz随电源电压和负载电流的变化也大；Vz的离散性大，由于Vz由多次扩散决定，所以Vz的精确控制较困难，一般NPN管的BVEBO的容差在土200mV；输出噪声电压较大。因为击穿主要发生在Si表面，所以受表面的影响大。2.6肖特基势垒二极管（SBDSchottky-Barrier-Diode)和肖特基箝位晶体管（SCTSchottkyclamptransistor）肖特基势垒Schottky—barrier金属和半导体接触，也和PN结一样在接触处的半导体表面层内，自然地形成了由半导体中的杂质离子组成的空间电荷层或耗尽层。其中存在的电子或空穴的势垒，叫做肖特基势垒。01以金属与N型硅接触为例。N型硅的功函数一般比金属的功函数小。金属与N型硅接触时，电子由硅流入金属，在硅表面层内出现由带正电的杂质离子组成的空间电荷层。其中存在由硅指向金属的电场及电子势垒。在平衡时，势垒高度大到足以阻止电子进一步流向金属，也就是说，越过势垒流入金属的电子流与由金属流入半导体的电子流相等。这个势垒就是肖特基势垒。02肖特基势垒和PN结势垒—样，也具有随外加电压改变的势垒电容及整流作用。加上正向电压(金属接正)时，耗尽层中电场减小，势垒降低，结果出现了由硅流向金属的净电子流。外加电压反向时，耗尽层中的电场及势垒高度和宽度增加，结果出现了由金属流向硅的很小的电子流。所以，肖特基势垒具有整流作用。若硅掺杂很重，则势垒很薄，通过接触的电流主要是隧道电流。这时接触没有整流作用。通过接触的电流基本上是多数载流子电流。SBD与PN结二极管的比较*PN结导通时，都是少子注入?积累?扩散形成电流，是一种电荷存贮效应，严重影响了PN结的高频特性。而SBD导通时，主要靠半导体多子，是多子器件，高频特性好。对于相同的势垒高度，SBD的JSD（扩散理论饱和电流密度）或JST（热电子发射理论饱和电流密度）要比PN结的反向饱和电流密度JS大得多，即：对于相同的正向电流，SBD的正向导通压降较低，一般Si为0.3V，Ge为0.2V。根据M-S接触理论，理想情况下WMWS，金属与n型半导体接触形成阻挡层。WMWS，金属与n型半导体接触形成反阻挡层。WMWS，金属与p型半导体接触形成阻挡层。WMWS，金属与p型半导体接触形成反阻挡层。M-S整流接触与欧姆接触的区别logo但实际情况，由于Si，Ge，GaAs等常用半导体材料都有很高的表面态密度，不管n型还是p型都形成阻挡层。所以，实际的欧姆接触是利用隧道效应制成的。——对半导体进行重掺杂，势垒宽度很薄，载流子可以通过隧穿效应贯穿势垒形成大的隧道电流，当其超过热电子发射电流成为主导时，接触电阻很小?欧姆接触。SBD在TTL中起到的嵌位作用*肖特基势垒二极管（SBD）具有可用于改善集成电路三个特点，即正向压降低、开关时间短和反向击穿电压高。由于TTL集成电路在提高电路速度时存在