原创力文档- 1、本文档共60页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
现代半导体理论;课程概述;第一章：半导体物理基础;1.1半导体的定义与特性;1.2能带理论基础;1.3载流子;1.4费米能级;1.5半导体的电导机制;第二章：半导体材料;2.1元素半导体;2.2化合物半导体;2.3有机半导体;2.4新型半导体材料;第三章：半导体掺杂;3.1掺杂的概念与目的;3.2掺杂方法;3.3掺杂对能带的影响;3.4掺杂浓度与载流子浓度;第四章：PN结;4.1PN结的形成;4.2PN结的能带图;4.3PN结的电流-电压特性;4.4PN结的电容效应;第五章：金属-半导体接触;5.1肖特基势垒;5.2欧姆接触;5.3金属-半导体-金属结构;;6.1异质结的定义与分类;;6.3异质结的应用;第七章：量子效应与低维结构;7.1量子阱;7.2量子线和量子点;7.3超晶格;7.4量子隧穿效应;第八章：半导体光电效应;8.1光生载流子;8.2光伏效应;8.3发光二极管（LED）;8.4半导体激光器;第九章：半导体中的输运现象;9.1漂移-扩散方程;9.2载流子迁移率;9.3霍尔效应;9.4热电效应;第十章：半导体器件物理;10.1场效应晶体管（FET）;;10.3电荷耦合器件（CCD）;10.4功率半导体器件;第十一章：半导体工艺技术;;11.2外延生长技术;11.3光刻技术;11.4刻蚀技术;第十二章：半导体表征技术;12.1电学表征;;课程总结与展望
文档评论（0）