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现代半导体理论;课程概述;第一章:半导体物理基础;1.1半导体的定义与特性;1.2能带理论基础;1.3载流子;1.4费米能级;1.5半导体的电导机制;第二章:半导体材料;2.1元素半导体;2.2化合物半导体;2.3有机半导体;2.4新型半导体材料;第三章:半导体掺杂;3.1掺杂的概念与目的;3.2掺杂方法;3.3掺杂对能带的影响;3.4掺杂浓度与载流子浓度;第四章:PN结;4.1PN结的形成;4.2PN结的能带图;4.3PN结的电流-电压特性;4.4PN结的电容效应;第五章:金属-半导体接触;5.1肖特基势垒;5.2欧姆接触;5.3金属-半导体-金属结构;;6.1异质结的定义与分类;;6.3异质结的应用;第七章:量子效应与低维结构;7.1量子阱;7.2量子线和量子点;7.3超晶格;7.4量子隧穿效应;第八章:半导体光电效应;8.1光生载流子;8.2光伏效应;8.3发光二极管(LED);8.4半导体激光器;第九章:半导体中的输运现象;9.1漂移-扩散方程;9.2载流子迁移率;9.3霍尔效应;9.4热电效应;第十章:半导体器件物理;10.1场效应晶体管(FET);;10.3电荷耦合器件(CCD);10.4功率半导体器件;第十一章:半导体工艺技术;;11.2外延生长技术;11.3光刻技术;11.4刻蚀技术;第十二章:半导体表征技术;12.1电学表征;;课程总结与展望
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