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IGBTDiscrete
VcE6S0
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G人
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ParameterSymbolValueUnit
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正人
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ContinuousGate-EmitterVoltageVGE士20
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TurnoffSafeOperatingAreaVcc650V，100
TKE150*C
PulsedCollectorCurrent,VaE=15V，
tplimitedbyTinaxTcv100A
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ShortCircuitWithstandTime，
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Vs=1$SV,Vcc=400V，VcEgM委650V
了PowerDissipation,Tj=175避,Tc=25民Pi333W
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