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靖芯JXP2N7002VRG
STBCHIPN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET
DESCRIPTIONSCHEMATICDIAGRAM
ThisMOSFEThasbeendesignedtominimize
theon-stateresistance(RDS(on))andyetmaintain
superiorswitchingperformance,makingitideal
forhighefficiencypowermanagement
applications.
GENERALFEATURES
VDS=60V,ID=0.38A
RDS(ON)3.0Ω@VGS=4.5V
RDS(ON)2.3Ω@VGS=10V
DualN-ChannelMOSFET
PINASSIGNMENT
LowGateThresholdVoltage
LowInputCapacitanceSOT-23
FastSwitchingSpeed(TOPVIEW)
ESDRating:2000VHBMD
3
APPLICATION
PWMapplications72K
Loadswitch
PACKAGE12
SOT-23GS
ORDERINGINFORMATION
PartNumberStorageTemperaturePackageMarkingDevicesPerReel
JXP2N7002VRG-55°Cto+150°CSOT-2372K3000
ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS
(TA=25℃unlessotherwisenoted)
parametersymbollimitunit
Drain-sourcevoltageVDS60V
Gate-sourcevoltageVGS±20V
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