DB32T 3594-2019 晶体硅太阳电池热斑耐久性能试验方法.docxVIP

ICS27.160F12

DB32

江苏省地方标准

DB32/T3594—2019

晶体硅太阳电池热斑耐久性能试验方法

Testmethodforhot-spotendurabilityofcrystallinesiliconsolarcells

2019-04-08发布2019-04-30实施

江苏省市场监督管理局发布

I

DB32/T3594—2019

前言

本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。本标准由无锡市市场监督管理局提出并归口。

本标准起草单位：国家太阳能光伏产品质量监督检验中心、江苏彩虹永能光伏科技有限公司。本标准主要起草人：王美娟、胡旦、王亿、钦卫国、周挺。

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DB32/T3594—2019

晶体硅太阳电池热斑耐久性能试验方法

1范围

本标准规定了晶体硅太阳电池热斑耐久性能的试验原理、仪器设备、试验步骤和试验结果等。本标准适用于单晶硅、多晶硅太阳电池，也可用于经过封装，但电池的电路单独引出的样品。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

IEC60904-1光伏器件第1部分：光伏电流一电压特性的测量(Photovoltaicdevices—Part1:Measurementofphotovoltaiccurrent-voltagecharacteristics)

IEC60904-9光伏器件第9部分：太阳模拟器性能要求(Photovoltaicdevices—Part9:Solarsimulatorperformancerequirements)

IEC61215-2地面用晶体硅光伏组件(PV)设计鉴定和定型第2部分：试验程序[Terrestrialphotovoltaic(PV)modules—Designqualificationandtypeapproval—Part2:Testprocedures]

UL1703平面光伏电池板(Flat-PlatePhotovoltaicModulesandPanels)

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。3.1

太阳电池电流-电压象限theI-Vquadrantsofsolarcell

以电压为x轴、电流为y轴，以光照条件下太阳电池吸收光功率对外输出电功率的工作区域为第一象限的二维平面，见图1。

a)光照条件下b)无光照条件下

图1太阳电池电流-电压象限

3.2

额定串联电池数ratedseriescellnumber

光伏组件中一个旁路二极管并联的电池数量最大值。

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3.3

额定反向电压ratedreversevoltage

V

在标准测试条件下，光伏组件中一块电池被完全遮挡时承受的最大反向电压值。这个值和组件的开路电压Vo有关。在全串联组件中，总电池数量为n,则定义V=Vo/nX(s—1)。

4试验原理

根据IEC61215-2,当组件中的一块或一组电池被遮光或损坏时，它能产生的最大光生电流(该片电池的短路电流)小于所在串联电路的工作电流。若此时该电池的某一部分温度高于周围正常工作的电池的温度，则把这种加热效应称为“热斑效应”。此时，太阳电池工作在第二象限，电压处于反向偏置状态，消耗功率。串联电池构成的组件在热斑状态时电池工作示意图见附录A。组件中电池被遮挡的形式见附录B。

本试验参考了UL1703,通过恒压直流电源对电池施加额定反向电压，使电池处于反向偏置状态，观察电池在稳定光照条件下的发热情况。

5仪器设备

所需仪器设备如下：

a)可调恒压直流电源及电压测量装置，精度不低于0.05V;

b)红外热成像仪；

c)太阳光模拟器，满足IEC60904-9所规定的AAA级的要求；

d)根据IEC60904-1,测量电池电流-电压特性的设备；

e)稳态太阳模拟器，满足IEC60904-9所规定的BBB级或更高级别的要求；

f)合适的温度探测器(如热电偶)及温度记录设备，采样间隔5s或更短；

g)盖有一层19mm