光刻技术六十年.docx

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2025-03-22 发布于北京
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光刻技术六十年

摘要当今世界离不开信息产业，信息产业离不开半导体集成电路芯片制造技术，即微电子技术。集成电路芯片制造工艺中最关键的就是光刻技术。光刻技术开始于1958年美国德克萨斯公司试制的世界上第一块平面集成电

路，在短短的60年中，光刻分辨率极限一次又一次被突破，创造了人间奇迹。作为微电子技术工艺基础的光刻技术

与微/纳米加工技术是人类迄今为止所能达到的精度最高的加工技术。光刻加工尺寸从百微米到10nm，加工手段从钢板尺手术刀照相机到电子束光刻，光源波长从光学曝光到极紫外曝光。集成度提高了约百亿倍，特征尺寸线宽缩小到原来的约1/10000。随着纳米集成电路迅猛发展，光刻技术也从等效摩尔时代进入后摩尔时代。

关键词光刻技术；光学分辨率增强技术；下一代光刻；微纳米加工技术

中图分类号TN305.6；TN305.7；TN405 文献标志码A DOI：10.3788/LOP202259.0922031

LithographyTechnologyDuringthePastSixDecades

ChenBaoqin1,2*

InstituteofMicroelectronics(IMECAS),ChineseAcademyofSciences,Beijing100029,China;

SchoolofIntegratedCircuits,UniversityofChineseAcademyofSciences,Beijing100049,China

AbstractNowadays,theworldisinseparablefromtheinformationtechnology(IT),whileITisinseparablefromtheintegratedcircuit(IC)semiconductormanufacturingtechnology,thatis,microelectronicstechnology.ThemostcriticaltechnologyinICsemiconductormanufacturingislithography.Lithographyemergedin1958whenTexasInstrumentsproducedtheworld’sfirstplanarIC.Overthepastshort60years,thelithographyresolutionlimithasbeenbrokenagainandagain,creatingamiracleonearth.Asthebasisofmicroelectronicstechnology,lithographyandmicronanofabricationtechnologiesarethehighestaccuracymanufacturingtechonologiessofar.Lithographyprocesssizesrangefromseveralhundredmicronsto10nanometers.Processmethodsdevelopfromplaterulerscalpelandcameratoelectronbeamlithography.Lightsourcewavelengthsrangefromopticalexposuretoextremeultravioletexposure.Inthedevelopmentprocess,integrationincreasesbyabouttenbilliontimes,whilethecharacteristicdimensionhasbeenreducedtoaboutonetenthousandthoftheoriginalvalue.WiththerapiddevelopmentofIC,lithographyhasalsomovedfromtheeraofequivalentMooreintothepostMooreera.

Keywordslithographytechnology;r