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模拟集成CMOS考试题--第1页

1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按____比例____缩小，CMOS电路被证明具有_

较低__的制造成本。

2、放大应用时，通常使MOS管工作在_饱和区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来表

示电压转换电流的能力。

3、λ为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，λ值____较小___（较大、较小）。

4、源跟随器主要应用是起到___电压缓冲器___的作用。

5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高，因此可以做成___恒定电流源_。

6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输入电平的变化会引起差动输

出的改变。

7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制

沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为__共源共栅电流镜__结构。

8、为方便求解，在一定条件下可用___极点—结点关联_法估算系统的极点频率。

9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示，电路的输入电容C为__C（1－A）__。

inF

10、λ为沟长调制效应系数，λ值与沟道长度成___反比__（正比、反比）。

二．名词解释（每题3分，共15分）

1、阱

解：在CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，其中某一类器件要做在一个“局部

衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。

2、亚阈值导电效应

解：实际上，V=V时，一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏电流，甚至当VV时，I

GSTHGSTHD

也并非是无限小，而是与V呈指数关系，这种效应叫亚阈值导电效应。

GS

3、沟道长度调制

解：当栅与漏之间的电压增大时，实际的反型沟道长度逐渐减小，也就是说，L实际上是V的函数，

DS

这种效应称为沟道长度调制。

4、等效跨导Gm

1

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I

解：对于某种具体的电路结构，定义D为电路的等效跨导，来表示输入电压转换成输出电流的能力

V

in

5、米勒定理

-1

解：如果将图（a）的电路转换成图（b）的电路，则Z=Z/(1-A)，Z=Z/(1-A)，其中A=V/V。这

1V2VVYX

种现象可总结为米勒定理。

6、N阱:

解：CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，若衬底为P型，则PMOS管要做在一

个N型的“局部衬底”上，这块与衬底