模拟电子技术基础第三版 02半导体器件-三极管场效应管 学习资料.pptVIP

第1章半导体器件跨导gmN+N+P+P+PBSGD源极漏极衬底极SiO2绝缘层金属栅极P型硅衬底SGBD电路符号二、绝缘栅场效应管（N沟道）（1）结构金属-氧化物-半导体场效应管N沟道增强型MOS管UDS0(保证栅漏PN结反偏)。U与S极相连(保证源衬PN结反偏)。UGS0(形成导电沟道)PP+N+N+SGDBUDS-+-+UGS栅?衬之间相当于以SiO2为介质的平板电容器。假设UDS=0，讨论UGS作用PP+N+N+SGDBUDS=0-+UGS形成空间电荷区并与PN结相通UGS?衬底表面层中负离子?、电子?UGS?开启电压UT形成N型导电沟道表面层npUGS越大，反型层中n越多，导电能力越强。反型层UDS对沟道的控制（假设UGSUT且保持不变）UDS很小时→UGD?UGS。此时Ron不变。由图UGD=UGS-UDS因此UDS?→ID线性?。若UDS?→则UGD?→近漏端沟道?→Ron增大。此时Ron?→ID?变慢。PP+N+N+SGDBUDS-+UGS-+PP+N+N+SGDBUDS-+UGS-+当UDS增加到使UGD?=UT时→A点出现预夹断若UDS继续?→A点左移→出现夹断区此时UAS=UAG+UGS=-UT+UGS（恒定）因此预夹断后：PP+N+N+SGDBUDS-+UGS-+APP+N+N+SGDBUDS-+UGS-+AUDS?→ID基本维持不变。MOS管仅依靠一种载流子（多子）导电，故称单极型器件。三极管中多子、少子同时参与导电，故称双极型器件。利用半导体表面的电场效应，通过栅源电压UGS的变化，改变感应电荷的多少，从而改变导电沟道的宽窄，控制漏极电流ID。MOSFET工作原理：双极型三极管场效应管多子导电多子和少子同时导电流控型压控型输入阻抗高输入阻抗低温度稳定性好温度稳定性差输出特性曲线UDS（V）ID（mA）01324UGS=UT固定一个UDS，画出ID和UGS的关系曲线，称为转移特性曲线N沟道增强型MOS管的特性曲线可变电阻区恒流区击穿区转移特性曲线UT开启电压IDUGSUT=3VUDS=5VID/mAUDS/V0UGS=5V3.5V4V4.5VUDS=5VID/mAuGS/V012345转移特性曲线中,ID=0时对应的UGS值,即开启电压UT。SGBDIDPP+N+SGDBN+N沟道DMOSUGS=0时，导电沟道已存在沟道线是实线N沟道耗尽型MOS管*1.1半导体的特性1.2PN结及半导体二极管1.3双极型三极管1.4场效应三极管§1.3双极型三极管（BipolarJunctionTransistor)1.3.1基本结构becNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极bcePNP型becNPN型三极管becPNP型三极管三极管符号NPNcbePNPcbebecNNP基极(base)发射极(emitter)集电极(collector)基区：较薄，掺杂浓度低集电区：面积较大发射区：掺杂浓度较高发射结集电结becNNP基极发射极+++++++++++++__________________________+++++++++++++集电极1.3.2电流放