霍耳传感器及其它磁传感器.pptVIP

磁电特性在弱磁场及一定的工作电流下，输出电压与磁感应强度的关系为线性关系。在强磁场下则成非线性关系。伏安特性在负向磁场作用下，磁敏二极管电阻小，电流大；在正向磁场作用下，磁敏二极管电阻大，电流小。如图6-8所示。图6-8磁敏二极管的伏安特性16.3.3磁敏三极管2磁敏三极管是一种新型的磁电转换器件,该器件的灵敏度比霍耳元件高得多.同样具有无触点、输出功率大、响应快、成本低等优点。3其在磁力探测、无损探伤、位移测量、转速测量等领域有广泛的应用。磁敏三极管的基本结构及工作原理图6-9是磁敏三极管工作原理图。图（a）是无外磁场作用情况。由于i区较长，在横向电场作用下，发射极电流大部分形成基极电流，小部分形成集电极电流。图（b）是有外部正向磁场B+作用的情况，图（c）是有外部反向磁场B-作用的情况，会引起集电极电流的减少或增加。因此，可以用磁场方向控制集电极电流的增加或减少，用磁场的强弱控制集电极电流增加或减少的变化量。图6-9磁敏三极管工作原理示意图2.磁敏三极管的主要技术特性1）磁灵敏度h±指当基极电流恒定，外加磁感应强度B=0时的集电极电流ICO与外加磁感应强度B=±0.1T时的集电极电流IC±相对变化值，即：2）磁电特性在基极电流恒定时，集电极电流与外加磁场的关系。在弱磁场作用下，特性接近线性。3）温度特性集电极电流的温度特性具有负的温度系数。对温度较敏感，实际使用时应进行温度补偿。6.4霍耳传感器及其它磁传感器应用实例1霍耳传感器工作原理2霍耳传感器3其它磁传感器4霍耳传感器及其它磁传感器应用实例5实训第6章霍耳传感器及其它磁传感器6.1霍耳传感器工作原理016.1霍耳传感器工作原理02霍耳效应03在置于磁场中的导体或半导体内通入电流，若电流与磁场垂直，则在与磁场和电流都垂直的方向上会出现一个电势差，这种现象称为霍耳效应。04如图6-1所示，长、寛、高分别为L、W、H的N型半导体薄片的相对两侧a、b通以控制电流，在薄片垂直方向加以磁场B。05在图示方向磁场的作用下，电子将受到一个由c側指向d側方向力的作用，这个力就是洛仑兹力，大小为：图6-1霍耳效应与霍耳元件霍耳效应（b）霍耳元件结构（c）图形符号（d）外形FL=qvBc、d两端面因电荷积累而建立了一个电场EH，称为霍尔电场。该电场对电子的作用力与洛仑兹力的方向相反，即阻止电荷的继续积累。当电场力与洛仑兹力相等时，达到动态平衡。这时有：qEH=qvB霍耳电场的强度为：EH=vB在c与d两側面间建立的电势差称为霍耳电压：UH=EHW或UH=vBW当材料中的电子浓度为n时，，电子速度为：得：设：得霍耳电压：设：得：式中RH为霍耳系数，它反映材料霍耳效应的强弱;KH为霍耳灵敏度，它表示一个霍耳元件在单位控制电流和单位磁感应强度时产生的霍耳电压的大小。可以看出：霍耳电压UH大小与材料的性质有关。霍耳电压UH大小与元件的尺寸有关。霍耳电压UH大小与控制电流及磁场强度有关。01030204050616.1.2霍耳元件的主要技术参数2利用霍耳效应制成的磁电转换元件称为霍耳元件也叫霍耳传感器。3霍耳元件由霍耳片、引线和壳体组成,如图6-1-1(a)所示。4霍耳片是矩形半导体单晶薄片，引出四个引线。1、1′两根引线加激励电流，称为激励电极；2、2′引线为霍耳电压输出引线，称为霍耳电极。5霍耳元件壳体由非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装而成。图6-1-1霍耳元件霍耳电压UH；额定控制电流IC；霍耳元件主要技术参数为：霍耳电压的温度特性。不等位电势U0，即未加磁场时的输出电压，一般小于1mV；在电路中霍耳元件可用两种符号表示，如图6-1-1(b)所示。输入电阻RIN和输出电阻ROUT；6.2霍耳传感器6.2霍耳传感器霍耳开关集成传感器霍耳开关集成传感器是利用霍耳效应与集成电路技术制成的一种磁敏传感器，它能感知一切与磁信息有关的物理量，并以开关信号形式输出。图6-2所示为内部组成框图。当有磁场作用在霍耳开关集成传感器上时，霍耳元件输出霍耳电压UH，一次磁场强度变化，使传感器完成一次开关动作。图6-2霍耳开关集成传感器内部框图霍耳开关集成传感器具有使用寿命长，无触点磨损，无火花干扰，无转换抖动，工作频率高，温度特性好，能适应恶劣环境等优点。常见霍耳开关集成传感器型号有UGN-3020,UGN-303