电力电子器件—绝缘栅双极晶体管（IGBT）.pptx

绝缘栅双极晶体管IGBT概念特性结构安全工作区

图2-23IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号a)内部结构断面示意图b)简化等效电路c)电气图形符号RN为晶体管基区内的调制电阻。结构IGBT是三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E，具有很强的通流能力。IGBT的结构

工作原理IGBT的驱动原理与电力MOSFET基本相同，是一种场控器件。其开通和关断是由栅极和发射极间的电压UGE决定的。IGBT模块

工作原理导通当UGE为正且大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，并为晶体管提供基极电流进而使IGBT导通。

工作原理关断当栅极G与发射极E间施加反向电压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，使得IGBT关断。

静态特性1、描述的是集电极电流IC与栅射电压UGE之间的关系。2开启电压UGE(th)是IGBT能实现电导调制而导通的最低栅射电压，随温度升高而略有下降。转移特性图2-24IGBT的转移特性

静态特性1、描述的是以栅射电压为参考变量时，集电极电流IC与集射极间电压UCE之间的关系。2、分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。3、当UCE0时，IGBT为反向阻断工作状态。4、在电力电子电路中，IGBT工作在开关状态，因而是在正向阻断区和饱和区之间来回转换。输出特性图2-24IGBT的输出特性

动态特性?开通延迟时间td(on)电流上升时间tr电压下降时间tfv开通时间ton=td(on)+tr+tfvtfv分为tfv1和tfv2两段。。开通过程图2-25IGBT的开关过程

动态特性?关断延迟时间td(off)电压上升时间trv电流下降时间tfi关断时间toff=td(off)+trv+tfitfi分为tfi1和tfi2两段?IGBT的开关速度要低于MOSFET关断过程图2-25IGBT的开关过程关速度高，开关损耗小;在相同电压和电流定额的情况下，IGBT的安全工作区比GTR大，而且具有耐脉冲电流冲击的能力。与电力MOSFET和GTR相比，IGBT的耐压和通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高的特点。通态压降比VDMOSFET低，特别是在电流较大的区域。输入阻抗高，其输入特性与电力MOSFET类似。IGBT特点

安全工作区正向偏置安全工作区根据最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集电极功耗确定。反向偏置安全工作区根据最大集电极电流、最大集射极间电压和最大允许电压上升率duCE/dt确定。