电力电子器件—半控型器件晶闸管（电力电子技术）.pptx

半控型器件——晶闸管概念工作原理结构参数

概念晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又称作可控硅整流器（SiliconControlledRectifier——SCR），以前被简称为可控硅。其承受的电压和电流容量仍然是目前电力电子器件中最高，而且工作可靠，因此在大容量的应用场合仍然具有比较重要的地位。晶闸管及模块

结构从外形上来看，晶闸管也主要有螺栓型和平板型两种封装结构。引出阳极A、阴极K和门极（控制端）G三个联接端。内部是PNPN四层半导体结构。晶闸管的结构图2-2晶闸管的外形、结构和电气图形符号a)外形b)基本结构c)电气图形符号

伏安特性1、IG=0，晶闸管处于正向阻断状态。2、如果正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。3、随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低，晶闸管本身的压降很小，在1V左右。4、如果门极电流为零，并且阳极电流降至接近于零的某一数值IH以下，则晶闸管又回到正向阻断状态，IH称为维持电流。正向特性图2-9晶闸管的伏安特性IG2IG1IG正向转折电压Ubo正向导通雪崩击穿O+UA-UA-IAIAIHIG2IG1IG=0UboUDSMUDRMURRMURSM+

伏安特性1、其伏安特性类似二极管的反向特性。2、晶闸管处于反向阻断状态时，只有极小的反向漏电流通过。3、当反向电压超过一定限度，到反向击穿电压后，外电路如无限制措施，则反向漏电流急剧增大，导致晶闸管发热损坏。反向特性图2-9晶闸管的伏安特性IG2IG1IG正向转折电压Ubo正向导通雪崩击穿O+UA-UA-IAIAIHIG2IG1IG=0UboUDSMUDRMURRMURSM+晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。若要使已导通的晶闸管关断，只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。当晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用，不论门极触发电流是否还存在，晶闸管都保持导通。静态特性伏安特性

动态特性?阳极电流的增长不可能是瞬时：晶闸管内部的正反馈过程需要时间；外电路电感的限制?延迟时间td(0.5~1.5?s)上升时间tr(0.5~3?s)开通时间tgt=td+tr?延迟时间随门极电流的增大而减小,上升时间除反映晶闸管本身特性外，还受到外电路电感的严重影响。提高阳极电压,延迟时间和上升时间都可显著缩短。开通过程图2-10晶闸管的开通和关断过程波形100%90%10%uAKttO0tdtrtrrtgrURRMIRMiA阳极电流稳态值的10%阳极电流稳态值的90%

动态特性?由于外电路电感的存在，原处于导通状态的晶闸管当外加电压突然由正向变为反向时，其阳极电流在衰减时必然也是有过渡过程的。?反向阻断恢复时间trr正向阻断恢复时间tgr关断时间tq=trr+tgr?关断时间约几百微秒。?在正向阻断恢复时间内如果重新对晶闸管施加正向电压，晶闸管会重新正向导通，而不是受门极电流控制而导通。关断过程图2-10晶闸管的开通和关断过程波形反向恢复电流最大值尖峰电压90%10%uAKttO0tdtrtrrtgrURRMIRMiA

主要参数断态重复峰值电压UDRM?是在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压。?国标规定断态重复峰值电压UDRM为断态不重复峰值电压（即断态最大瞬时电压）UDSM的90%。?断态不重复峰值电压应低于正向转折电压Ubo。反向重复峰值电压URRM?是在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。?规定反向重复峰值电压URRM为反向不重复峰值电压（即反向最大瞬态电压）URSM的90%。?反向不重复峰值电压应低于反向击穿电压。通态（峰值）电压UT晶闸管通以某一规定倍数的额定通态平均电流时的瞬态峰值电压。额定电压通常取晶闸管的UDRM和URRM中较小的标值。选用时，一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压2~3倍。电压参数

主要参数通态平均电流IT(AV）?国标规定通态平均电流为晶闸管在环境温度为40?C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。?一般取其通态平均电流为按发热效应相等（即有效值相等）的原则所得计算结果的1.5~2倍。维持电流IH?维持电流是指使晶闸管维持导通所必需的最小电流，一般为几十到几百毫安。?结