宏盛微半导体AP30P02BF.pdf

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2025-03-27 发布于广东
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AP30P02BF

-20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP30P02BFusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas2.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=-20VI-30A

DSD

RDS(ON)12mΩ@VGS-4.5V（Type：9.5mΩ）

Application

electroniccigarette

Loadswitch

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP30P02BFQFN2*2-6LAP30P02BFXXXYYYY3000

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage-20V

VGSGate-SourceVoltage±12V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@-4.5V-30A

I@T=70℃ContinuousDrainCurrent,VGS@-4.5V-21.4A

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